电力电子技术课件第二章电力电子器件 摘要.ppt

2.6.3 典型全控型器件的驱动电路 t O i b ◆GTR ?开通的基极驱动电流应使其处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 ?关断时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 理想的GTR基极驱动电流波形 * 电力电子技术 * 2.6.3 典型全控型器件的驱动电路 电力MOSFET的一种驱动电路 ■电压驱动型器件的驱动电路 ◆电力MOSFET和IGBT ◆为快速建立驱动电压，要求驱动电路具有较小的输出电阻。 ◆使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V，使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取15 ~ 20V。 ◆关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 ◆在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。 * 电力电子技术 * 2.6.3 典型全控型器件的驱动电路 电力MOSFET的一种驱动电路 ■电压驱动型器件的驱动电路 ◆电力MOSFET ?包括电气隔离和晶体管放大电路两部分；当无输入信号时高速放大器A输出负电平，V3导通输出负驱动电压，当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正