两路相位可调方波信号发生器摘要.doc

1.设计原理 单片机集成度高、功能强、可靠性高、体积小、功耗地、使用方便、价格低廉等一系列优点，目前已经渗入到人们工作和生活的方方面面，几乎“无处不在，无所不为”。单片机的应用领域已从面向工业控制、通讯、交通、智能仪表等迅速发展到家用消费产品、办公自动化、汽车电子、PC机外围以及网络通讯等广大领域。 单片机有两种基本结构形式:一种是在通用微型计算机中广泛采用的，将程序存储器和数据存储器合用一个存储器空间的结构，称为普林斯顿结构。另一种是将程序存储器和数据存储器截然分开，分别寻址的结构，一般需要较大的程序存储器，目前的单片机以采用程序存储器和数据存储器截然分开的结构为多。 本课题讨论的方波发生器的核心是目前应用极为广泛的 51系列单片机。 本课程设计是设计一个方波发生器，用1602显示方波的频率和相位差。 系统的整体图如下： 图1系统整体图 系统默认的频率为10HZ，默认的相位差为0。 1.1复位电路设计 如果RST持续为高电平，单片机就处于循环复位状态，而无法执行程序。由C1，R1，开关构成开关复位电路，如图2。上电后，由于电容充电，使RST持续一段高电平。当单片机在运行状态下，按下复位键也能使RST持续一段时间的高电平，从而实现上电复位和手动复位。 图2 复位电路 1.2振荡电路设计 如图3所示，外接石英晶体或者陶瓷谐振器以及电容C2，C3接在放大器的反馈电路中构成并联谐振电路。谐振器本身对外接电容C2、C3虽然没有十分严格的要求，但电容容量的大小会轻微影响振荡频率的高低、振荡器工作的稳定性、起振的难易程度以及温度的稳定性，如果使用石英晶体，推荐使用30pF，而使用陶瓷谐振器建议选择40pF。 本次设计使用的是石英晶体谐振器，因此采用30pF的电容，晶振频率为12MHZ。 图3 振荡电路 1.3矩阵键盘设计 在键盘中按键数量较多时，为了减少I/O口的占用，通常将按键排列成矩阵形式，如图1所示。在矩阵式键盘中，每条水平线和垂直线在交叉处不直接连通，而是通过一个按键加以连接。这样，一个端口（如P1口）就可以构成4*4=16个按键，比之直接将端口线用于键盘多出了一倍，而且线数越多，区别越明显，比如再多加一条线就可以构成20键的键盘，而直接用端口线则只能多出一键（9键）。由此可见，在需要的键数比较多时，采用矩阵法来做键盘是合理的。 矩阵式结构的键盘显然比直接法要复杂一些，识别也要复杂一些，下图中，列线通过电阻接正电源，并将行线所接的单片机的I/O口作为输出端，而列线所接的I/O口则作为输入。这样，当按键没有按下时，所有的输入端都是高电平，代表无键按下。行线输出是低电平，一旦有键按下，则输入线就会被拉低，这样，通过读入输入线的状态就可得知是否有键按下了。 图5 液晶 1602字符型LCD通常有14条引脚线或16条引脚线的LCD，多出来的2条线是背光电源线 VCC(15脚)和地线GND(16脚)，其控制原理与14脚的LCD完全一样，其中： 引脚 符号 功能说明 1 VSS 一般接地 2 VDD 接电源（+5V） 3 V0 液晶显示器对比度调整端，接正电源时对比度最弱，接地电源时对比度最高（对比度过高时会产生“鬼影”，使用时可以通过一个10K的电位器调整对比度）。 4 RS RS为寄存器选择，高电平1时选择数据寄存器、低电平0时选择指令寄存器。 5 R/W R/W为读写信号线，高电平(1)时进行读操作，低电平(0)时进行写操作。 6 E E(或EN)端为使能(enable)端， 写操作时，下降沿使能。 读操作时，E高电平有效 7 DB0 低4位三态、 双向数据总线 0位（最低位） 8 DB1 低4位三态、 双向数据总线 1位 9 DB2 低4位三态、 双向数据总线 2位 10 DB3 低4位三态、 双向数据总线 3位 11 DB4 高4位三态、 双向数据总线 4位 12 DB5 高4位三态、 双向数据总线 5位 13 DB6 高4位三态、 双向数据总线 6位 14 DB7 高4位三态、 双向数据总线 7位（最高位）（也是busy flag） 15 BLA 背光电源正极 16 BLK 背光 电源负极 寄存器选择控制表 RS R/W 操作说明 0 0 写入指令寄存器（清除屏等） 0 1 读busy flag（DB7），以及读取位址计数器（DB0~DB6）值 1 0 写入数据寄存器（显示各字型等） 1 1 从数据寄存器读取数据 注：关于E=H脉冲——开始时初始化E为0，然后置E为1，再清0. busy flag（DB7）：在此位为1时，LCD忙，将无法再处理其他的指令要求。 图6 流程图 源程序 #include reg51.h #include math.h #define uchar unsig