硅基zno紫外电器件的研究.pdfVIP

中国科学技术大学硕士论文 摘 要 ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，禁带宽度为3．37eV，常温下的激于 束缚能为60meV，而且ZnO的晶格和GaN非常匹配。随着近年半导体材料生长技 术的发展，高质量的ZnO薄膜被研制成功，使得ZnO的研究备受关注。已经有报 导ZnO薄膜已经应用于表面声学波器件、太阳能电池、气体传感器、变阻器等等， 并且在紫外探测器、LED、LD等应用领域有了更新的进展。在这篇文章中将讲述 ZnO欧姆电极的制备与ZnO：A1／p—Si异质结紫外光电特性研究，还要介绍基于si 衬底的ZnO薄膜MSMUv增强光电探测器的研究的研究工作。 本文第一章简要介绍ZnO材料的结构、特性以及应用，并回顾近年ZnO领域 的研究进展，还总述了本文的工作。 第二章介绍ZnO材料的晶格结构以及ZnO薄膜材料的详细制各方法，例如溅 射法、脉冲激光淀积法。分子束外延、溶胶凝胶法等等。简单介绍了ZnO的掺杂 理论以及p型ZnO的制备。并在最后讲述了ZnO薄膜的紫外受激发射、气敏性、 压敏性、光电感应等特性及其应用。 第三章介绍了金半接触理论阱及紫外探测的相关问题。回顾了金半接触的能 带结构，讲述了欧姆接触和肖特基接触的理论推导过程。并在最后讲述了紫外光 电探测器的种类、常数以及材料。 第四章基于ZnO形成的机理，应用半导体能带理论，分析了金属和ZnO的欧 姆接触和肖特基接触特性。在p-Si衬底上，采用直流及射频溅射获得掺A1的 ZrLO薄膜，用电子束蒸发In／Ag、In／A1、Ti／Au，微电子光刻工艺制作范德堡、传 输线、梳状电极和n-ZnO／p—Si异质结Uv增强光电探测器，并在200C。500。C 时Ar气保护下对样品制作合金；测量样品的I—V特性、电阻率、载流子浓度、 异质PN结的Uv光谱响应以及XPS结构组分分析等。测试结果表明，采用金属功 与n-ZnO薄膜形成了良好的欧姆接触。 第五章讲述采用微电子平面工艺，在p+一si背底上电子束蒸发TiAgNi合金 制作欧姆电极，在p—si外延层上MOCVD异质外延生长及溅射掺A1的ZnO薄膜， 电子束蒸发半透明Au光刻成叉指电极和ZnO作肖特基结，研制成了金属一半导 中国科学技术太学硕士论文 体一金属(MSM)增强紫外光电探测器。测试分析了器件的I--V特性、C--V特 性、光电特性。器件在200nm到400hm的之间有灵敏的光电响应，在370nm附近 时有一个响应的峰值停留，同时保留了si在400nm以上波长的光谱响应。测试得 到的I—v特性符合肖特基接触的反向特性曲线：电容在OV附近具有最大值，随 着正反向电压增大电容值呈对称性快速减小。研究表明，该结构的Uv增强光电探 测器可采用微电子Si平面工艺和外延薄膜工艺相结合，具有广泛的生产和应用 前景。 中国科学技术大学硕士论文 AbstraGt ZnOisawide directband semiconductorwith of band 3．37eVand gap gap 60meVexciton atroom thismaterialis bindingenergy temperature，and closely to lattice-matchedGaN．Asthe ofsemiconductor development growthtechnology, can ZnO be theresearchinZnOattractsmuch high obtained，and more