mcz单晶炉内磁场的计算.pdfVIP

维普资讯 |e5—200 196 西专理工大学学报 5ot~rnalofXianUniversityofTechnolQgy (1994)Vo1．10No．3 MCZ单 晶炉 内磁场的计算 兰堕 西专理工大学 自动化工程 系．710048西专 摘要 本文采用数值积分法计算 MCZ单晶炉 内的磁场 。文中给出j计算程序框 嘲 及数值解 分析讨论的结果可供设计 MCZ单 晶炉的磁场发生装置 时参考。 关键词 MCZ单 晶炉 励 一 磁线圈磁感应强度 牺炉 9 中图法分类号 TF806． l 磁场拉晶技术简介 随着半导体工业的发展，单晶的尺寸及重量在不断地增大 。生产成本随着装料量的增加 而减小。增大晶体尺寸后 ，熔融体的热对流是影响单晶体质量的一个重要因素。造成热对流 的原因是温度波动和温度梯度。在常规直拉法 (cz)当中，对 自由对流不加控制．分析拉出的 晶体可发现 ：沿单晶棒轴 向氧含量不均匀．掺杂均匀性差，不能拉高阻单晶。另外 ，随着晶 体尺寸的增大氧含量增多 。同时，氧含量的变化也很大。为了克服上述常规直拉法的缺点 ．改 善单晶的质量 ，抑制熔融体的热对流，一个有效的方法是给单晶炉外加磁场 。即磁场拉晶法 — — McZ (MagneticFieldAppliedCzchroerhls~ Method)。 MCZ单晶炉 内发生的物理过程本质上是磁流体的运动 问厨。石英坩埚里的熔体受热后 由 于温度梯度要产生热对流，而熔体(如 Si，~aAs)为导电体 。当导体在磁场 中运动时要产生感应 电流，感应 电流又要产生磁场 。同时载有 电流的导体在磁场中要受到磁场力的作用。这 个磁 场力对熔体的流动状况产生影响，并且改变热对流的模式。最终．几个物理场相互作用达到 动态平稳 显然。为了抑制热对流，可以通过有效控制外加磁场来达到 外加磁场可以是轴 向磁场，亦可以是横向磁场，或者两者兼用。根据有关磁场控制热对流的论文，所加磁场的 磁力线以径 向发射状为佳。 为了设计制造供 MCZ单晶炉能满足特定磁场要求的励磁线圈，并且优化线圈结构，节省 材料，就必须对励磁线圈磁场的大小与分布，作出严密的分析与准确的计算。 本文以外加轴 向磁场为恻，计算 MCZ单晶炉 内的磁场 。所采用的计算方法对横 向磁场的 计算同样适用。 2 励磁线 圈结构与参数 欲在单晶炉 内加一轴 向磁场 ，可将励磁 线圈套在单 晶炉外部并与之同轴配置 ，如图1 原稿收列 日期 ：1993年 10月 16日． 责任编辑 ：陈 洁 *晁立束 现在西安石油学院仪器与 自动化系．(710061西专) 维普资讯 ● 晁立东等：MCZ单晶护内磁场的计算 197 所示。设计要求 ：轴线上磁感应强度最大值不小于 5000GS．磁场均匀区长度 150~250mm。线 圈内径大于等于 510ram，线圈外径待定。线圈高度为 750ram。为简化讨论．这里暂不考虑线 圈的冷却 问题 。 图 1 单晶炉内加一轴向磁场 图2 线圈结掏 T ● ●●上 因为炉壳材料为不锈钢 (1CrlSNi9Ti)，它是非磁性材料。石英坩埚和 由碳素材料制成的 加热器也都是非磁性材料 。炉 内再无其它铁磁材料 。所 以，问厨可归结为空芯螺管式线 圈在 线圈内部空间产生的磁场的计算。 通有恒定电流的线圈在其周围空间产生恒定磁场。为了保证轴线上磁感应强度最大值不 小于 5000GS，首先进行陆算，得到一组线圈参数初始值 。然后在计算机上进行模拟实验 ，对 线圈的匝