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单晶硅游离磨粒线切割技术研究

2009年第43卷Nol 31 单晶硅游离磨粒线切割技术研究* 舒继千魏昕袁艳蕊 广东工业大学 摘要:游离磨料多线切割技术具有切割效率高、切口材料损耗小、表面损伤程度浅、切割噪声小等优点,能满 足晶圆大直径化发展的加丁需求。但游离磨料线切割技术发展历史短,目前还缺乏对游离磨料线切割过程材料的 去除本征规律的充分认识和系统研究。本文介绍了游离磨料线切割方法的r1:作原理,综合分析了游离磨料线切割 硅片的材料去除机理、切割线振动模型、切割温度及其影响因素等方面的研究结果,以期为游离磨料多线切割技术 的深入研究和推广应用提供基础。 关键词:游离磨粒线切割,切割线,单晶硅 ResearchonFreeAbrasive Silicon aWiresaw SlicingSingle CrystalIngotUsing Xin Shu Wei YuanYanmi Jiqian beeabrasive wiresawhasthe of Abstract:The using high efficiency,smallcrystal slicingtechnology advantagesmachining su而ce low noise,etc.It toslice sizesilicon wastage,thindamagelayer,andmachining adaptsespeciallylarge crystalingot.’n地 known at wi:resaw itsmaterialremovalmechanismhavenotbeen well themoment.Thisarticleintroduces slicing very proce鹤and the ofh傥abrasive summarizesand theresearch slicingtechnology analyses progress 硒eny workingprlncipie using诵res跏,and materialremoval ofwiresawin variationinthe onthe mechanisms,vibration modeling mmmfjcturingprocess,temperaturebeing further and sliced 80orlto thebasicinformationforthe research 011.this wafer,and provide applicationtechnology. abrasive silicon single crystal Keyw

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