非均匀磁场对空间浮区法晶体生长的影响.pdfVIP

（ 辑） P 第 卷 第 期 （ ） 年 月 0! % ,KHSMKS HM K4HMP ,C-@ P ’! % 非均匀磁场对空间浮区法晶体生长的影响! 李 凯 胡文瑞 （中国科学院力学研究所，国家微重力实验室，北京 !# ） 摘要 通过数值计算表明了在空间浮区法晶体生长中利用非均匀磁场抑制自由面 附近流体运动，这种局部作用来均匀减弱整体流场的有效性，及通过设计一定的磁场 位形以达到减弱熔体流动的同时，提高杂质浓度沿生长界面分布均匀性的可能性，并 且初步讨论了非均匀磁场位形设计的基本原则$ 关键词 浮区法 晶体生长 非均匀磁场 数值模拟 微重力 浮区法是一种无容器熔体晶体生长方式，具有避免容器材料对熔体的污染和对生长单晶 熔点的限制等优点 在地面，重力的存在限制了所生长体单晶的尺寸 微重力环境为浮区法 $ $ ［］ 生长大尺寸晶体创造了可能性，目前空间实验生长的晶体直径达到了% ! $ 空间浮区法 晶体生长过程中，自由面上表面张力梯度驱动的热毛细对流在熔区中占主导地位$ 对于空间 ［］ ’ 小 数半导体晶体的生长，热毛细对流极易发展为非定常对流 ，引起所生长晶体中的条 ! ［ ］ 纹，影响晶体的品质 因此，外加轴向静磁场常被用来抑制非定常对流的发生’ ( ) ，从而消除 $ ［］ 所生长晶体中相应位置的条纹’ $ 然而磁场不能直接作用于平行于磁力线的流动速度分量， 在轴向磁场作用下，自由面附近的对流仍很强 这种不均匀的流场结构导致熔区内，特别是生 $ 长界面处的杂质分布不均匀性，引起所生长晶体中较大的径向宏分凝$ 因此，浮区法晶体生长 中施加外加静磁场的目的除阻尼熔体流动强度外，还应得到合理的流场结构和凝固时均匀浓 度分布$ 磁场的参数包括强度和位形 轴向磁场只能调节强度，仅靠增加磁场强度并不能达到上 $ ［，］ 述目的’ % $ 因此，强度和位形可同时调节的非均匀磁场在浮区法晶体生长中的应用尤为重 ［，］） 要，但这方面的研究开展得并不多* + ! 本文利用数值模拟方法，研究了空间浮区法 （）体 $ ,- . 单晶的生长过程中，不同磁场位形对熔区中流场、温度场和浓度场的影响，从而寻求磁场设计 的基本原则$ ! 数值模型和方法 如图 所示，本文计算中采用了柱坐标系（，，）中轴对称的全浮区模型 熔区悬浮在 !