《IC工艺技术1-引言和硅衬底》.ppt

集成电路工艺技术 系列讲座 集成电路工艺技术讲座第一讲 集成电路工艺技术引言和硅衬底材料 引言 集成电路工艺技术发展趋势 器件等比例缩小原理 平面工艺 单项工艺 工艺整合 集成电路制造环境 讲座安排 集成电路技术发展趋势 IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小 IC技术发展趋势(1)集成度不断提高－摩尔定律 IC技术发展趋势(2)硅片大直径化 IC技术发展趋势(3)CPU运算能力 IC技术发展趋势(4)结构复杂化　功能多元化 IC技术发展趋势(5)芯片价格不断降低 MOSFET等比例缩小 基本长沟道MOSFET器件特性 短沟道效应 *开启电压Vth下降 *漏极导致势垒下降 *源漏穿通 *亚开启电流增加 基本长沟道MOSFET器件 短沟道效应 开启电压降低 输出饱和特性差 短沟道效应 亚开启电流增加 MOSFET等比例缩小示意 MOSFET等比例缩小规则 恒电场和恒电压缩小 双极型晶体管的等比例缩小 发射极条宽 k 基区掺杂浓度 k1.6 集电区掺杂浓度 k2 基区宽度 k0.8 集电区电流密度 k2 门电路延迟时间 k 平面工艺－图形转移技术 平面工艺－制造二极管 平面工艺－制造二极管 集成电路单项工艺 图形转移工艺 掺杂工艺 工艺整合 双极集成电路 *数字双极集成电路－高速 *模拟双极集成电路－精度（含电容，pnp) CMOS集成电路 *数字逻辑，存储器CMOS *数字模拟混合CMOS BiCMOS集成电路 高压功率MOS BCD集成电路 双极集成电路工艺 埋层光刻 双极集成电路工艺 埋层扩散 双极集成电路工艺 外延 双极集成电路工艺 隔离光刻 双极集成电路工艺 隔离扩散 双极集成电路工艺 基区扩散 双极集成电路工艺 发射区扩散 双极集成电路工艺 接触孔光刻 双极集成电路工艺 金属连线 集成电路制造环境 超净厂房 　 无尘、恒温、恒湿 超净水 超净气体 常用气体(N2、O2、H2)纯度>99.9999% 颗粒控制严　0.5/L 超净化学药品 纯度、颗粒控制 IC 制造环境(1)净化级别和颗粒数 净化室 IC制造环境(2) 超纯水 极高的电阻率（导电离子很少）　18M? 无机颗粒数　<5ppb (SiO2) 总有机碳（TOC) <20ppb 细菌数 0.1/ml IC制造环境(3)超纯化学药品 讲座安排 引言和硅衬底 光刻 湿法腐蚀和干法刻蚀 扩散和热氧化 离子注入 外延 CVD 金属化 双极集成电路工艺技术 CMOS集成电路工艺技术 硅衬底材料 硅衬底材料 CZ(直拉）法生长单晶 硅片准备（切割－研磨－抛光） 晶体缺陷 抛光片主要技术指标 从原料到抛光片 起始材料 SiC +SiO2 Si(固)+SiO(气)+CO(气) 　形成 冶金级硅MGS(98%) 300C Si+3HCl SiHCl3(气)+H2 　 将SiHCl3(室温下为液体，沸点32C）分馏提纯 SiHCl3＋H2 Si+3HCl 　　产生电子级硅EGS(纯度十亿分之一），它是多晶硅材料 CZ(直拉）法生长单晶 分凝系数 平衡分凝系数 　k=Cs/Cl　 硼 0.8 磷 0.35 砷 0.3 锑 0.023 掺杂物质的分布 Cs=k0C0(1-M/M0)k0-1 有效分凝系数 ke=Cs/Cl　 （Cl为远离界面处液体的杂质浓度） ＝ko/[ko+(1-ko)exp(-v?/D)] v 拉伸速度 ? 粘滞层厚度 D 融体中掺杂剂扩散系数 提高v，减少转速（增加? ） 或 不断加入高纯度多晶硅 可使 ke 接近 1 硅片准备 滚圆和做基准面 切片(线切割），倒角（防止产生缺陷） 腐蚀 去除沾污和损伤层(HNO3+HF+醋酸) 磨片和化学机械抛光（NaOH＋SiO2，去除表面缺陷） 清洗（去除