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SSF7509ST版--CN.pdf
SSF7509
特点：
先进的沟槽工艺技术 ID=80A
为转换器以及功率控制而特殊设计 BV=80V
单胞密度大，导通电阻低 Rdson=6.5 mΩ (典型值)
雪崩电压和雪崩电流100%测试
描述：
SSF7509 是采用新技术制成的中压大电流的N 沟槽增强型
功率 MOSFET。这项新技术增加了单胞密度；同时降低了导通
电阻，典型值可降低到6.5mΩ 。
应用：
开关电源
G=栅极 D=漏极 S=源极 （TO220 ）
最大额定值
符号 参数 最大值 单位
I @T =25 ْC 80
D c
漏极电流，VGS@10V
I @T =100ْC 72 A
D c
IDM 脉冲漏极电流 ① 320
耗散功率 165 W
P @T =25ْC
D C
线性降额因子 2.0 W/ Cْ
VGS 栅源电压 ±20 V
dv/dt 二极管恢复电压 31 v/ns
EAS 单脉冲雪崩击穿能量 ② 500 mJ
TJ 工作结温
–55 to +150 ْC
TSTG 存储环境温度的范围
热阻
符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位
RθJC 热阻（结到壳） — 0.75 —
ْC/W
RθJA 热阻（结到外围） — — 62
静态参数特性 @TJ=25 ْC (除了特别的定义)
符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件
BV 漏-源击穿电压 80 — — V V =0V, I =250μA
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