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第6章 存储器设计 § 6.1 存储器分类 一、存储器的分类 1、按存储介质分类 半导体存储器、磁表面存储器、光表面存储器 2、按存储器的读写功能分类 只读存储器（ROM）、随机存储器(RAM） 3、按信息的可保存性分类 非永久性记忆的存储器、永久性记忆的存储器 4、按在微机系统中的作用分类 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器 * * 存储器 存储方式 存储单元 8位二进制 字节 编号 地址 二、 半导体存储器的分类与选用原则 1、分类及特点 2、选用原则 ROM与RAM的选用 ROM类型的选用 RAM类型的选用 芯片型号的选用 掩模ROM PROM EPROM E PROM Flash ROM 2 （4个层面） SRAM DRAM 内存条 Flash ROM特点： 兼具EEPROM、SRAM和DRAM的优点 Flash ROM应用： 主板、显卡BIOS 移动存储器 MP3播放器 数码相机、摄像机存储卡 嵌入式、便携式系统电子盘 典型Flash ROM芯片： SST28EF020（256KB) Intel28F032SA（4MB） …… 速度高、密度大； 非易失（掉电时信息不丢失）； 内含命令、状态寄存器，可在系统编程； 可整片/按扇区/按页面/按字节擦写； 有数据保护、保密能力。 存储系统的层次结构 1、存储系统的层次结构 是指把各种不同存储容量、存取速度和价格的存储器按层次结构组成多层存储器，并通过管理软件和辅助硬件有机组合成统一的整体，使所存放的程序和数据按层次分布在各种存储器中,核心是解决容量、速度、价格间的矛盾 2、常用的存储系统的层次结构 主要由高速缓冲存储器Cache、主存储器和辅助存储器组成 3、解决CPU与主存储器速度差所采取的措施 （1）CPU内部设置多个通用寄存器 （2）采用多存储模块交叉存取 （3）采用高速缓冲存储器（Cache） § 6.2 存储器的基本性能指标 1、存储容量 （1）存储容量=存储器单元数×每单元二进制位数 （2）换算关系： 1KB=210B=1024B 1MB=220B=1024KB 1GB=230B=1024MB 1TB=240B=1024GB 2、读写速度 （1）存取时间：启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。时间越小，存储速度越快。如DRAM：100ns～200ns，SRAM：20ns～40ns 。 （2）存取周期：连续两次独立的存储器操作所需要的最短的时间。一般情况下，存取周期略大于存取时间。 tcyc(R) 4T –tda – tD – T tcyc(R)：最小读出时间 4T ：最小总线周期 tda ：地址总线延时时间 tD ：其他因素引起的总线附加延时 3、非易失性：存储器在掉电后信息仍然能够保持 4、可靠性：用平均故障时间MTBF（Mean Time Between Failures）来衡量。MTBF越长，可靠性越高。 5、功耗：存储器耗电的多少，同时反映了其发热的程度。 6、成本、体积等 § 6.3 存储器芯片与CPU的接口特性 ——设计/扩展存储器系统的基础 片选地址 片内地址 高位地址 低位地址 内存地址 1. 各种存储器芯片的接口共性 4类接口 信号线（电源线除外） 数据线 地址线 片选线 读/写控制线 直连 直连 地址 译码器 DB 低位 高位 AB 匹配 直连 等待产生电路 CB相应线 CPU 不匹配 关键：高低位AB如何划分 根据译码方式的不同，可有三种常用片选控制方法： 1、线选法 2、全译码法 3、局部译码法 1.线选法 除将低位地址线直接接片内地址外，把余下的高位地址线分别作为各个存储器芯片内片选控制信号。 注意：片选地址线每次寻址时只能有一位有效，不允许同时有多位有效。 A10～A0 2KB(1) 2KB(2) 2KB (3) 2KB(4) 2KB (5) CS CS CS CS CS A11 A12 A13 A14 A15 常用片选控制方法： 线选法 局部译码法 全译码法 常用片选控制方法： 线选法 局部译码法 全译码法 2.局部译码法 对高位地址总线中的一部分(