第三章微波晶体管放大器1解读.pptVIP

工作类别（乙类） 乙类放大的特征：发射结处于零偏压，晶体管在静态时也无直流电流，也是在外信号到来时，开启发射极结才能进行放大，只是开启功率要比丙类小。 优点：与甲类相比是输出功率大，效率高，其理论最高效率可达78%；而与丙类相比是线性好，增益高。 为了克服乙类放大零偏压处的失真，也可稍加一点正向偏压，以维持较小的静态直流电流，这称甲乙类（或AB类）放大。 工作类别（丙类） 丙类放大的特征：发射结处于反向偏压，晶体管在静态时没有直流电流（只有很小的集电极反向漏电流），当外信号到来时，将发射结打开，才起放大作用。 优点：输出功率大，集电极效率高，最高理论效率可接近100%，实际可达50%～70%； 缺点：增益低、线性差、噪声大。 * 场效应晶体管Field Effect Transistor (FET) 沟道 Substrate Source Gate Drain (W/WO) 耗尽型 耗尽区 （Depletion Region） Lg tCH * 中華大學電機系 田慶誠 金属半导体场效应管Metal Semiconductor FET S G D 耗尽区 Schottky barrier GaAs 0VGSVP Cgs * 高电子迁移率晶体管High Electron Mobility Transistor Heterojunction VGSVP VGS0 * Heterojunction 结构 Undoped Buffer layer Undoped Channel Substrate GaAs HEMT f30GHz AlGaAs GaAs GaAs PM HEMT f60GHz AlGaAs InGaAs GaAs InP HEMT mm-Wave InAlAs InGaAs InP * Junction FET (JFET) 0VGSVP(-1~-3V) tCH 耗尽区 * Metal Oxide Semiconductor FET(增强型) VGSVT (Threshold Voltage) * Comparisons of FETs 相同点：橫向电流，只提供单一载子电流 不同點 MESFET (P)HEMT JFET MOSFET mn ,vS Higher Highest Low Low fT, fMAX Higher Highest Medium Low Gain (gm) Higher Highest Medium Low Noise Low Lowest Low High Substrate High resistance High resistance Lossy Lossy Cost Higher Highest Medium Cheep * 晶体管的低频（1/f）噪声 HEMT HBT 1/f Noise Thermal Noise * 晶体管的高频噪声 HBT HEMT * 晶体管的应用 BJT HBT MESFET (P)HEMT JFET CMOS LNA 5th 4th 2nd 1st 2nd 6th PA 3rd 1st 2nd 3rd 5th 6th OSC 2nd 1st 5th 4th 2nd 6th f6GHz 2nd 3rd 5th 5th 4th 1st f30GHz 4th 2nd 3rd 1st 4th X f30GHz X 2nd 3rd 1st X X Cost 2nd 5th 4th 5th 2nd 1st * S参数 功率波的定义(Z0=50W): 50W a1 b1 a2 b2 Port 1 Port 2 50W * 入射波 反射波 入射功率 反射功率 * S参数的计算 50W 50W a1 b1 a2=0 b2 Port 1 Port 2 Matched S11 S21 = Port 1 反射系数 当端口二匹配 = Port 1 to Port 2当端口2匹配时传输系数 。 (gain or insertion loss) * 端口匹配的含义 50W 50W a1 b1 a2=0 b2 Port 1 Port 2 Matched S11 S21 各接面可视为由虚拟50W传输线(长度视为0)连接，因此传输线内形成入射波a1 、a2与反射波b1 、 b2。当port 2接上50W负载(matched)， b2直接从50W传输线进入50W负载，因此没有反射波产生，即a2=0。 50W 50W * S参数的计算 50W 50W a2 b2 a1=0 b1 Port 2 Port 1 Matched S22 S12 = Port 2 反射系数（当端口1匹配时） = Port 2 to Port 1 传输系数 （当端口1匹配时） (反向增益o