材料的电性能＂.ppt

离子类载流子导电 本征导电（离子导电、空位导电） 晶体点阵的基本离子受热振动而脱离晶格，在外电场作用下，自由离子和其留下的空位作相互反方向的定向运动产生本征导电。 杂质导电 杂质离子受热振动脱离晶格，在电场作用下作定向运动。 本征导电 高温 ☆ 晶格与离子的联系 低温 杂质导电 离子类载流子导电 V b △V (a) (b) 无电场 有电场 F为作用在离子价为z的离子上的电场力 离子类载流子导电 无电场时，越过位垒V的几率 有电场时 向右运动的几率 向左运动的几率 平均漂移速度 离子类载流子导电 电场强度足够低 当电场足够强大 电阻率 取自然对数 离子类载流子导电 电导 简化得 如果材料中存在多种载流子，其总电导率 电阻率 如图2.21 离子玻璃的电阻率 离子类载流子导电 离子导电是离子在电场作用下的扩散现象。 扩散路径通畅，离子扩散系数越高，导电率也越高。 能斯特-爱因斯坦（Nernst-Einstein）方程 （推导略） 描述离子电导率和离子扩散系数之间的联系。 扩散系数 离子荷电量 载流子单位体积浓度 离子迁移率 离子绝对迁移率 另一方面 离子导电的影响因素 温度的影响 温度↑→离子热振动加剧→电导率(σ)↑ B—与材料有关的常数 A 2 1 1—低温区的杂质导电 2—高温区的本征导电 离子性质、晶体结构的影响 离子导电的影响因素 材料熔点高→离子间结合力大→离子活性↓→导电激活能↑→σ↓ 离子半径大→离子间结合力↓→离子活性↑→σ↑ 离子价数↑→离子键力↑→离子活性↓→σ↓ 晶体间隙大→离子移动自由程↑→σ↑ 离子导电的影响因素 空位、间隙原子或掺杂原子（使空位产生）均可参与导电→σ↑ 缺 陷 当晶体中离子扩散方向与外电场力方向一致时，离子的浓度梯度愈大，导电性愈好。 浓度梯度 快离子导体 固体电解质——具有离子导电的固体物质。 快离子导体——电导率较高的固体电解质。 银和铜的卤族和硫族化合物。 金属原子在这些化合物键合位置相对随意。 具有β-氧化铝结构的高迁移率的单价阳离子氧化物。 具有氟化钙（CaF2)结构的高浓度缺陷氧化物。 见图2.25和表2.8 快离子导体 晶体结构的特征决定其导电的离子类型和电导率的大小。 共同特征 (1)晶体结构的主体是由一类占有特定位置的离子构成。 (2)具有大量的空位，这些空位数量远高于可移动的离子数。因此，在无序的晶格里总是存在可供迁移离子占据的空位。 (3)亚晶格点阵之间具有近乎相等的能量和较低的激活能。 (4)在点阵间总是存在着通道，以至于沿着有利的路径可以平移。 立方稳定的氧化锆(ZrO2) 氧敏元件—监控汽车的排气成分 O2- 空位 基体阳离子(Zr4+) 掺杂阳离子(2+3+) 铂导线 外电极 CSZ管 内电极 参考氧分压 p2 待测氧分压p1 半导体的电学性能 当检视单质和化合物半导体的电学 性能时，元素周期表中ⅣA族的碳(C)，硅(Si)，锗(Ge)，锡(Sn)，铅(Pb)格外引人注目。 随着原子量的增加，ⅣA族各元素的禁带宽度ΔE从金刚石的6eV到灰锡(β-Sn)的0.08eV依次变窄。常温下的白锡(α-Sn)已是金属，最后一个元素铅则纯粹是金属。 金刚石的键联结构，若A、B位置由不同的原子占据，得到闪锌矿结构 纯净碳的金刚石结构在室温是典型的绝缘体，其禁带宽ΔE=6eV。 石墨是由一系列类似于苯环的六角网格晶面组成的层状结构，介于金属和半导体之间。 金刚石结构中每个原子最外层四个电子分别分配给四个最近邻C原子。这四个最近邻C原子处于以该原子为中心的正四面体角上，与其形成共价键。 石墨的层状结构 金刚石和石墨的导电性 单质硅和锗是当今应用最广泛的半导体材料。锗在所有固体中是能够获得最纯样品并研究得最多的半导体材料。在最纯的锗样品里杂质的含量只有10-10。硅可以达到的纯度比锗大约低一个数量级，但仍然比任何其他物质都纯。 具有广阔应用前景的化合物半导体达数十种之多，其中Ⅲ—V族，Ⅱ—Ⅳ族，Ⅳ—Ⅳ族和氧化物半导体更得到优先发展。这些材料原子间的结合以共价键为主，其各项性能参数比起Ⅳ族单质半导体有更大的选择余地。 半导体的种类 本征半导体 ——无掺杂的纯半导体 依靠热激发或光子激发使价带电子越过禁带，变成自由电子进入导带导电。 表 2.9 本征半导体室温下的禁带宽度Eg Si的Eg=1.12ev 指纯净的无结构缺陷的半导体单晶。 Ge的Eg=0.66ev (a) A位置键合破坏产生一个导电子和一个空穴 本征Si基本键合示意图 (b) B位置键合断裂发生导电子和空位迁移 本征载流子的浓度 浓度表达式为 T为绝对温度； 式中: ni, pi分别为自由电子和空穴的浓度； K1为常数，其数值为4.82×1015 K-3/2 ； k为玻尔兹曼常数; Eg为禁带宽度。 随着T增