高等固体物理半导体中的电子过程.ppt

物理学辉煌百年 20年代-理论物理 40年代-核物理 50年代-半导体 60年代-激光 70年代-集成电路 80年代-超导 90年代-人工构造材料 物理系学科点简介 上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室 研究方向1：人工微磁结构材料的设计与仿真 半导体中的电子过程 半导体概述 载流子的统计分布 半导体中的输运过程 半导体的能带结构 非平衡过程 P-N结 过热载流子 研究半导体物理学的意义 应用价值 半导体融入现代生活的方方面面，半导体工业是现代信息社会的重要支柱 理论价值 半导体内部电子和空穴的运动具有多种典型特征，对这种特点的深入研究，对了解导体和绝缘体的电子运动极具参考价值 本征半导体和杂质半导体 激发 为价带电子提供大禁带宽度Eg能量的任何物理作用 热激发 一定温度下，热运动使电子有一定几率从价带跃迁到导带 一个假设 导带中的电子位于导带底，而价带中的空穴则处于价带顶附近 杂质半导体 杂质半导体 类氢系统 氢原子基态电离能为 EH=2 =13.6eV 因此，束缚能一般都在百分之几的数量级，远小于硅、锗的禁带宽度，施主能级上的电子易被热激发后形成导带中的自由电子。 杂质半导体 基本性质及其应用 人们早就发现半导体的电导率随着温度上升而迅速上升，即： 基本性质及其应用 半导体的温差电现象比金属强的多。 载流子的统计分布 载流子的统计分布 载流子的统计分布 载流子的统计分布 载流子的统计分布 载流子的统计分布－－如何确定费米能级EF 载流子的统计分布－－本征半导体 载流子的统计分布－－本征半导体 载流子的统计分布－－掺杂半导体 载流子的统计分布－－掺杂半导体 载流子的统计分布－－掺杂半导体 载流子的统计分布－－掺杂半导体 由此可见，半导体掺杂的本质其实就是 移动费米能级 的位置 载流子的统计分布 半导体中的输运过程 半导体在电磁场中的两个基本输运过程： 半导体中的输运－－电导率 欧姆定律： 半导体中的输运－－电导率 半导体中的输运－－电导率 霍耳效应的发展 霍耳效应 半导体中的输运－－霍耳效应 霍耳系数 半导体中的输运－－霍耳效应 Hall效应应用广泛 测量半导体特性 测量磁场 磁流体发电 电磁无损探伤 霍尔传感器 实际半导体的能带 理想情况：球形等能面假设 实际晶体能带-取决于晶体结构和组成元素 实际晶体能带-取决于晶体结构和组成元素 实际半导体的能带--回旋共振有效质量 回旋共振基本原理： 非平衡载流子 非平衡少数载流子的产生和复合 非平衡载流子的寿命 （时间） 非平衡载流子的扩散 （空间） 非平衡少数载流子的产生和复合 热平衡时 非平衡载流子－寿命 非平衡载流子－扩散长度 PN结的伏安特性 PN结中载流子的运动过程 PN结的形成 PN结的形成 刚开始时，扩散运动强于漂移运动，使空间电荷区不断加宽 内电场也随之增强，这又使漂移运动增强，空间电荷区变窄 最后当两种运动达到动态平衡时，内电场不再变化，空间电荷区的宽度稳定了（阻挡层的厚度保持不变），便形成了PN结。 PN结的正向导通 PN结的反向截止 PN结的内建电势差 PN结的内建电势差 缓变结与突变结 p区与n区均为均匀掺杂，杂质浓度分别为Na和Nd 注意：此处已计入杂质补偿效应 PN结的内建电势差 结区形成后，p区导带底比n区导带底高出eVD PN结的内建电势差 室温时，本征激发不明显，且杂质基本已全部电离，因此可认为： PN结的整流特性 加正向偏压V时，p区势垒边少子（电子）数密度变为 PN结的整流特性 p区势垒边注入的非平衡少子（电子）数密度为： PN结的整流特性 少子堆积 PN结的整流特性 同理p区非平衡少子（电子）的扩散电流密度为 PN结的整流特性 多子哪去了？ PN结的整流特性 电压反向时 PN结的放大作用 PN结的放大作用 金属-氧化物-半导体(MOS)结构 金属-氧化物-半导体(MOS)结构 表面反型层 金属-氧化物-半导体(MOS)结构 量子阱、超晶格、光子晶体 量子阱、超晶格、光子晶体 量子阱、超晶格、光子晶体 超晶格的子能带 量子阱、超晶格、光子晶体 平衡时载流子浓度 借用关系： 则有： ，非平衡少子的电注入 n区势垒边注入的非平衡少子（空穴）数密度为： 由于室温下 因此0.1v的电压即可造成可观的少子积累。 可用以下扩散方程描述： 此处假设距势垒边扩散长度Dp处载流子浓度 已回复平衡状态。 少子向p区和n区内部的扩散 负号表示电子扩散方向与空穴相反（电流同向） 因