1106024245欧阳茂杰-毕业设计开题报告资料.docVIP

中北大学 毕业设计开题报告 学生姓名： 欧阳茂杰 学号： 1106024245 学院： 仪器与电子学院 专业： 微电子学 设计题目： SOI压力传感器敏感膜结构及工艺设计 指导教师: 梁庭 2014年11月10日 毕业设计开题报告 1．结合毕业设计课题情况，根据所查阅的文献资料，撰写2000字左右的文献综述： 文献综述 一．该课题的背景及意义 压力是基本的物理学参数之一,压力的测量和控制在科学试验,国防和国民经济各部门占有十分重要的地位。将压力信号转变为电信号的电压进行测量,以确定压力的数值的装置称为压力传感器。获得应用的压力传感器种类很多。70年代以来,利用硅的压阻效应和集成电路技术制成的硅压阻压力传感器具有灵敏度高,动态响应快,测量精度高,稳定性好。易于小型化,能够进行批量生产,使用方便等特点,发展十分迅速、应用日益重要和广泛,是发展非常迅速的一种压力传感器[1]。 随着微电子机械系统（Micro Electro Mechanical System ,MEMS）技术逐步成为跨学科高新技术研究领域，形成了包括各种微电子、微机械、微光学及各种数据处理单元的微系统，其中以集成电路加工技术为基础的硅基微加工技术发展迅速。而在微电子制造工艺基础上，硅微结构的MEMS加工工艺吸收融合其他加工工艺实现各种微机械结构，应用MEMS技术研制新型的硅氧化物绝缘体(Silicon On Insulator，SOI)压力传感器,性能更加优良、稳定性更好、可靠性更高。单晶硅SOI压力传感器是一种新型的半导体压力传感器，它比扩散硅压力传感器具有更高的工作温度，比多晶硅高温压力传感器具有更高的灵敏度，这主要得益于它用单晶硅材料和SOI结构作应变电阻，单晶硅材料压阻系数高，并且具有相当高的纵向和横向灵敏度因子，因此有利于设计性能优良的压阻电桥，保证传感器有很高的灵敏度和温度特性。 综上所述，对SOI压力传感器的研究，特别是对其压阻特性的研究具有深远的意义。相信经过本课题的研究，可以进一步明确SOI压力传感器的压阻特性，进而对现有的SOI压力传感器进行改进，使SOI压力传感器的测试精度和测试效果可以得到更好的优化和改进，为该类型传感器的更多领域推广应用打下基础[2,3,4,5,6]。 国内外研究现状 1945年史密斯发现了硅与锗的压阻效应，依据此原理制成的测力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上，即将力信号转化成电信号进行测量。此阶段最小尺寸大约为1cm。 1954年C.S.史密斯详细研究了硅的压阻效应，从此开始用硅制造压力传感器。早期的硅压力传感器是半导体应变计式的。后来在 N型硅片上定域扩散P型杂质形成电阻条，并接成电桥,制成芯片。此芯片仍需粘贴在弹性元件上才能敏感压力的变化。采用这种芯片作为敏感元件的传感器称为扩散型压力传感器。这两种传感器都同样采用粘片结构，因而存在滞后和蠕变大、固有频率低、不适于动态测量以及难于小型化和集成化、精度不高等缺点。为纵向相对变化率，称为纵向应变，它与应力成正比，有： (3) 式中，E—材料的杨式模量。 若样品的截面半径为r0，则横向应变为: (4) 横向应变与纵向应变的比值为材料泊松比v，由于形变过程中，纵向应变的变化趋势与横向应变相反，故二者的比值应取负号，即： （5） 式（2）为电阻率的相对变化率，由硅材料的压阻系数决定，即： （6） 而在外力作用下，单晶硅的压阻系数π 是一个四阶张量。由于硅单晶是立方晶体，当坐标轴取晶轴方向时，压阻张量只有三个独立分量，它的形式为： （7） 其中，—纵向压阻张量，表示沿某晶轴方向应力对同一方向电阻的影响； —纵向压阻张量，表示沿晶轴的应力对沿与其垂直的另一晶轴方向的电阻的影响； —剪切压阻张量，表示剪切应力对与其相应的某电阻张量分量的影响。 硅材料的和由试验测定。当电阻处于任意晶向时，如有纵向应力沿此方向作用在单晶硅电阻上，则引起纵向压阻效应，如果有横向应力沿垂直方向作用在电阻上，则引起横向压阻效应。 因此，由以上各式可将式（2）转化为： (8) 上式表明材料电阻的相对变化和应变之间的比例关系。 称为材料的应变计因子或灵敏系数，其意义是材料发生单位应变时电阻值的变化率。由式（8）可知，材料的灵敏系数由两个因素决定：一是，它由材料几何尺寸的变化引起，另一个是，由材料受力后电阻率的变化引起。而半导体材料的灵敏系数主要由决定，其值约在70