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一、脱溶沉淀现象 1、定义:从过饱和固溶体中析出一个成分不同的新相或形成溶质原子富集的亚稳区过渡相的过程。 2、条件:①合金固溶度随温度而变化, T↑,固溶度↓ ②合金从单相区进入双向区 3、类型: 2、定义:过饱和固溶体在一定温度下分解成结构相同、成分不同的两个相的过程。 (*) 10.2过饱和固溶体的脱溶 脱溶驱动力:化学自由能(体积自由能,△Gv) 图解法求脱溶驱动力:△Gv~C%曲线 脱溶驱动力 不连续脱溶 连续脱溶 普通脱溶 局部脱溶 脱溶 §1 过饱和固溶体的脱溶 普通脱溶:在整个固溶体基体中普遍地发生脱溶现象,并析出均匀分布的沉淀物。 连续沉淀形成的魏氏组织, Si-Mn-Al合金,800℃缓冷 局部脱溶:在普遍脱溶之前,较早地在晶界,亚晶界,滑移带,夹杂物的分界面以及其他点阵缺陷处择优形核。 不连续脱溶:高度过饱和固溶体发生的胞状沉淀,如Cu-Zn、 Cu-Mg、Cu-Be合金等。 不连续脱溶的胞状组织 Al-Ag合金,300℃/4h时效 特征:①成核多数在晶界处,并向晶内生长,呈层片相间分布 ②转变区与未转变区有明显分界 ③α和α’晶体位向不同、成分不同,但结构相同 有利于不连续脱溶的条件: ①脱溶驱动力大 ②当晶界不均匀成核几率大 ③晶界扩散系数大 不连续脱溶与连续脱溶的主要区别: ①前者主要析出物在晶界上,并形成胞状物 后者主要析出物在晶内,较为均匀 ②前者属短程扩散 后者属长程扩散 ③前者脱溶物附近成分不连续变化 后者脱溶物附近成分连续变化 ④前者伴随再结晶 后者没有再结晶 4、实例:Al-(2~4.5%Cu) 130℃时效析出析出序列: α→G·P·Ⅰ → θ”(G ·P ·Ⅱ) → θ’ →θ Al-(2~4.5%Cu)合金 550℃固溶,水淬 130℃时效 190℃时效 190℃时效析出析出序列: α→θ”(G ·P ·Ⅱ) → θ’ →θ 偏聚区→过渡相→平衡相 Al-Cu合金脱溶规律: ① 时效硬化效应:t↑,HV↑,HVmaxt时,t↑,HV↓ ② 二次硬化:第一峰在GP区;第二峰在θ”+ θ’ ③ 脱溶贯序:偏聚区→过渡相→平衡相 ④ HVmax在θ”+ θ’并存,GP存在平台 ⑤ 成分、温度的影响:不同成分合金在不同温度下具有不同的 脱溶贯序 GP区:首先是由Guinier-Preston从时效过的Al-4%Cu合金单晶拍摄的劳厄照片中发现的 特征: 富溶质区 圆盘状 晶体结构与基体相同 与基体保持完全共格,并引起共格畸变 在α’分解初期形成,且形成速度很快, 通常均匀分布 在热力学上是亚稳态 脱溶顺序 GP区的形成条件: 在室温或低温下时效初期出现 是发生在固溶体晶格内的晶内过程,不形成新相, 取决于时效温度和合金成分 GP区的形核主要是依靠浓度起伏的均匀形核 :可以由GP区演化而成,也可以直接从固溶体中析出 :过去叫G P (Ⅱ)区,认为它也属于晶内过程,是溶质原子有序排列的微观区,现在倾向于是一种过渡相,有一定的晶体结构。 四方结构:a=b=4.04A, c=7.8A 与基体保持共格 成分接近CuAl2 在150左右便可出现 四方结构:a=b=4.04A, c=5.8A 与基体保持部分共格 成分接近Cu2Al3.6 圆盘状 与基体有一定的位向关系 四方结构:a=b=6.06A, c=4.78A 与基体形成非共格界面 成分CuAl2 不均匀地在晶界上形核 θ出现的时候合金的硬度已经下降 1、粗化方式:小粒子溶解、大粒子长大 2、粗化驱动力:界面能的降低(或浓度梯度) 3、粒子浓度与尺寸的关系:Gibbs-Thomson效应方程 脱溶物粗化 4、粒子粗化速率方程?Ostwald熟化 定量描述: 方程的推导:参阅陈景榕编著:《金属与合金中的固态相变》 粒子长大速度和 粒子半径的关系 令dr/dt=0 得 rc= r* 令△(dr/dt)/△r=0 得 rm=2r* 讨论: ①r< r* ②r= 2r* ③r* <r< 2r* ④dr/dt与表面能有关 ⑤dr/dt与扩散系数有关 ⑥dr/dt与浓度有关 结论:粗化过程具有“自动调节尺寸、均一化、等轴化”倾向 耐热合金:Ni基合金—Ni3Al,界面能很低 0.01~0.03J/cm2 Fe-C合金+Cr、Mo、V:降低Dc, 发展耐热钢 电灯泡的灯丝:ThO2弥散在W的 基体中,起强化作
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