第三讲三极管祥解.ppt

三极管 半导体三极管是最重要的半导体器件，是电子电路中的核心器件，被广泛应用到了各种电子线路中，是电子线路的灵魂。 由上表可知：两个电流概念 （1）反向饱和电流（ICBO）: 当IE＝０时, 即发射极开路, IC=一IB。集电结加反偏电压，引起少子的定向运动，形成一个由集电区流向基区的电流。 （3）穿透电流（ICEO）：基极开路, IC=IE≠０, 此电流称为集电极－发射极的穿透电流, 用ICEO表示。 2.1.5 三极管的判别及手册的查阅方法 ? 要准确地了解一只三极管类型、 性能与参数, 可用专门的测量仪器进行测试, 但一般粗略判别三极管的类型和管脚, 可直接通过三极管的型号简单判断, 也可利用万用表测量方法判断. 1．三极管型号的意义 三极管的型号一般由五大部分组成,如3AX31A、3DG12B、3CG14G等。 2.判别三极管的管型和管脚 (1）根据三极管外壳上的型号,初判其类型 (2）根据三极管的外形特点,初判其管脚 4）判断管子的材料 根据硅管的发射结正向压降大于锗管的正向压降的特点,来判断其材料。 一般常温下,锗管正向压降为0.2～0.3V,硅管的正向压降为0.6～0.7V。根据图2.14电路进行测量,由电压表的读数大小确定是硅管还是锗管。 3.达林顿管（复合管） 达林顿管是指两个或两个以上的三极管按一定方式连接而成的管子，电流放大系数及输入阻抗都比较大。 达林顿管分为普通达林顿管和大功率达林顿管，主要用于音频功率放大、电源稳压、大电流驱动、开关控制等电路。 例4 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 课堂练习：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 三极管均处于放大状态 (1)找出相差0.2V或0.7V的两个极，为基极和发射极； 并确定三极管为硅管还是锗管。 (2)根据第三极是最高还是最低确定为NPN型还是PNP型。 (3)正确画出三极管。 硅管ube=0.7V 锗管ueb=0.2V 晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区和集电区的掺杂质浓度差别较大，如果把两个极互换使用，则严重影响晶体管的电流放大能力，甚至造成放大能力丧失。 晶体管的发射极 和集电极能否互 换使用？为什么? 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，UCE<UBE，集电结也处于正偏，这时内电场被大大削弱，因此极不利于集电区收集从发射区到达集电结边缘的电子，这种情况下，集电极电流IC与基极电流IB不再是β倍的关系，因此，晶体管的电流放大能力大大下降。 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？ 为什么晶体管基区掺杂质浓度小？而且还要做得很薄？ 学习与讨论 为了使发射区扩散电子的绝大多数无法在基区和空穴复合，由于基区掺杂深度很低且很薄，因此只能有极小一部分扩散电子与基区空穴相复合形成基极电流，剩余大部分扩散电子继续向集电结扩散，由于集成电结反偏，这些集结到集电结边缘的自由电子被集电极收集后形成集电极电流。 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 晶体管的主要参数 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 温度升高时， ICBO增大，温度每升高10°C， ICBO增加一倍。 二、温度对输入特性的影响 温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV。 温度对输出特性的影响 温度升高， iC明显增大。 例 3AX81 表示为PNP型锗材料，低频小功率管三极管 三极管型号的意义 规格（可缺） 序号 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管 K：开关管 T：闸流管 J：结型场效应管 O：MOS场效应管 U：光电管 A：PNP型锗材料 B：NPN型锗材料 C：PNP型硅材料 D：NPN型硅材料 E：化合物材料 3 第五部分 第四部分 第三部分 第二部分 第一部分 图2.10 典型三极管的管脚排列图 ①判断基极B和管子类型 (3）用万用表判别三极管的管脚及管型。? n?? 选择万用表“R×1K”挡。 n 用黑表笔接一管脚（假定其