半导体器件物理-MESFET及相关器件要点.pptVIP

本章内容 金属-半导体接触 金半场效应晶体管 调制掺杂场效应晶体管 考虑在开始夹断前的MESFET，如图(a)所示。沿着沟道的漏极电压变化如图(b)所示。沟道基本片段dy两端的电压降可表示为 其中，以dy替换了L。与源极相距y处的耗尽区宽度则可表示为 电流-电压特性 金半场效应晶体管(MESFET) 漏极电流ID为一定值，且与y无关．可将前式重写成 漏极电压的微分dV可由 得到 将dV代入前式，并由y=0积分到L，可得 金半场效应晶体管(MESFET) 即 图显示了一夹断电压为3.2V的MESFET的I-V特性。所示的曲线是当0≤VD≤VDsat时由上式I的公式计算得到。 其中 电压VP称为夹断电压，也就是当W2=a时的总电压之和(VD+VG+Vbi)。 金半场效应晶体管(MESFET) 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 MESFET及相关器件 * 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 MESFET及相关器件 * MESFET及相关器件 现代半导体器件物理与工艺 Physics and Technology of Modern Semiconductor Devices 2004,7,30 MESFET具有与MOSFET相似的电流-电压特性。然而在器件的栅电极部分，MESFET利用金属-半导体的整流接触取代了MOSFET的MOS结构；而在源极与漏极部分，MESFET以欧姆接触取代MOSFET中的p-n结。 MESFET MESFET与其他的场效应器件一样，在高电流时具有负的温度系数，即随着温度的升高电流反而下降。因此即使是使用大尺寸的有源器件或将许多器件并接使用时，仍可维持热稳定。此外，由于MESFET可用GaAs、InP等具有高电子迁移率的化合物半导体制造，因此具有比硅基MOSFET高的开关速度与截止频率。 MESFET结构的基础在于金半接触，在电特性上它相当于单边突变的p-n结，然而在工作时，它具有多数载流子器件所享有的快速响应。 MESFET 金-半接触可分为两种形式：整流性与非整流的欧姆性。 右上图即为一金属-半接触的结构示意图。 右下图所示为一独立金属和一独立n型半导体的能带图。值得注意的是，一般金属的功函数q?m并不同于半导体的功函数q?s。功函数定义为费米能级和真空能级之差。图中也标示了电子亲和力qχ，它是半导体导带端与真空能级的能量差。 基本特性 金属-半导体接触 当金属与半导体紧密接触时，两种不同材料的费米能级在热平衡时应相同，此外，真空能级也必须是连续的。这两项要求决定了理想的金半接触独特的能带图，如图所示。 理想状况下，势垒高度q?Bn即为金属功函数与电子亲和力之差： 基本特性： 同理，对金属与p型半导体的理想结而言，其势垒高度q?Bp则为 其中Eg为半导体的禁带宽度 金属-半导体接触 因此，对一已知半导体与任一金属而言，在n型和p型衬底上的势垒高度和，恰等于半导体的禁带宽度： 在图中的半导体侧，Vbi为电子由半导体导带上欲进入金属时遇到的内建电势，且 其中qVn为导带底与费米能级问的距离。对p型半导体而言，也可获得类似的结果。 金属-半导体接触 图(a)所示为不同偏压情况下金属在n型半导体上的能带图。当偏压为零时，即处于热平衡的情况下，两种材料间具有相同的费米能级。如果在金属上施以相对于n型半导体为正的电压时，则半导体到金属的势垒高度将变小，如图(b)所示，由于势垒降低了VF，使得电子变得更易由半导体进入金属 。 当施以一反向偏压，将使得势垒提高了VR，如图(c)所示。因此对电子而言，将变得更难从半导体进入金属中。 对p型半导体而言，我们可以获得相似的结果，不过极性相反 。 金属-半导体接触 对p型半导体而言，可以获得相似的结果，不过极性相反 。 金属-半导体接触 图(a)与(b)分别为金-半接触的电荷与电场分布。假设金属为完美导体，由半导体迁移过来的电荷将存在于其表面极狭窄的区域内。空间电荷在半导体内的延伸范围为W，也就是说在xW处，ρs=qND，而在xw处ρs=0。因此，其电荷分布与单边突变的p+-n结的情况相同。 电场的大小随着距离增加而线性变小，最大电场Em发生在界面处，因此得到电场分布为 金属-半导体接触 图(b)中电场曲线下的面积，也就是降落在空间电荷区的电压 耗尽区宽度W可表示为 而半导体内的空间电荷密度QSC则为