第四章变频器的组成及其设计分析报告.pptVIP

IGBT的保护 主要包括dv/dt保护、过流保护（包括短路保护）、热保护和非工作状态保护等。 （1）dv/dt保护 IGBT的C、E之间能承受的电压上升率dv/dt是有限的。为了保证dv/dt产生的位移电流不至于使IGBT误导通，有必要限制C、E之间的dv/dt。 保护措施：加缓冲电路 IGBT的保护 （2）过流和负载短路保护 当IGBT集电极或负载短路时，由其输出特性可知，其饱和压降会显著上升。通过检测IGBT的导通压降就可以判定它是否过流和短路。 如果过流，首先削弱驱动约8~10μs，再加反向驱动电压，关断IGBT，以免因产生过高的dv/dt和浪涌电压导致IGBT关断失败而造成损坏。 IGBT的保护 （3）非工作状态保护 由于IGBT的栅极是薄的绝缘栅，在运输、贮存、测量、装焊等方面都应采取相应的保护措施。在任何时候都要小心，防止栅极静电击穿。IGBT模块在出厂时一般都在控制极与发射极上装有导电泡沫塑料或粘有导电铜箔，要一直保留到往栅极上压线或进行无静电焊线时再拿下来。 二、智能功率模块（IPM）  特点：保护功能齐全，使用方便 1）开关速度快 2）低功耗 3）快速过流保护 4）过热保护 5）桥臂对管互锁保护 6）优化的栅极驱动电路和保护电路 7）驱动电源欠压保护。 三、集成门极换流晶闸管IGCT的性能和应用 90年代中期，ABB公司通过优化GTO门极驱动单元和器件外壳设计，采用集成门极等技术，大大降低了门极驱动回路中的电感，并采用负门极电流上升率的方法来缩短贮存时间，这就是所谓的GTO“硬驱动”技术，从而产生了新型功率器件?集成门极换流晶闸管Integrated Gate-Commutated Thyristor?IGCT），它将门极换流晶闸管通过印刷电路板与门极驱动装置连成一个整体 。 它不仅有与GTO相同的高阻断能力和低通态压降，而且有与IGBT相同的开关性能，即它综合了GTO和IGBT两者的优点。 应 用 目前，IGBT 和IGCT占领了大功率器件的应用领域。就功率装置的电流和电压而言，这两种器件具有很大的互补性。 在实际应用中：电压较低时选用IGBT，电压较高时选用IGCT。根据应用和设计的标准不同，在1800~3300V之间，两种器件交叉使用，IGBT较适于功率较小的装置，而IGCT则更适用于功率较大的装置。 4.3 变频器设计方法 4.3 变频器设计方法 一、变频调速系统设计的一般性方法 （1）控制系统总体方案设计，明确系统的总体要求。 （2）设计主电路拓扑结构，选定逆变器件类型； （3）确定控制策略和控制方式； （4）选择主控制芯片； （5）选择各物理量的传感器和检测电路； （6）系统硬件设计，软件设计 1. 选择主电路拓扑结构 （1）普通三相变频器 通常也称为二电平变频器，即第二章中所讲的交-直-交型变频器，这种拓扑结构比较简单，为了获得大功率可采用器件的串并联的方法来实现。 根据系统容量的大小以及实际要求选择合理的变频调速系统主电路拓扑结构。 1. 选择主电路拓扑结构 （2）交-交变频电路 主要用于500kW或1000kW以上的大功率、低转速的交流调速电路中。 （3）高-低-高电路 这是高压变频器的典型结构之一。 1. 选择主电路拓扑结构 （4）直接高压变频调速 在高压大功率的场合，采用三电平技术直接获得高压输出，或采用多重化技术将多个低压逆变桥并联/串联起来获得大电流/高电压，再加上一定的相移，可得到接近正弦的电压输出。 2. 确定控制系统方案 确定控制系统方案 根据系统的要求: 首先确定系统是通用型的，还是高性能的，还是有特殊要求的； 其次要确定系统的控制策略，是采用U/f控制、矢量控制，还是采用直接转矩控制等； 第三要确定是采用单机控制系统还是主从控制系统等。 3.选择传感器和检测电路 在确定总体方案时，必须首先选择好传感器和检测电路，它是影响控制精度的重要因素之一。主要测量电压、电流、温度、速度等物理量。 4. 选择CPU和输入/输出通道及外围设备 5.画出整个系统原理图 二、变频器主电路设计 整流器输出接滤波电容，稳定工作时流过变压器副边的相电流如图4-24所示。 整流二极管（VD1~VD6）的选择 通过三相整流桥的每个整流二极管的电流波形近似为方波，如图4-25所示。 则流过二极管的电流有效值为 二、变频器主电路设计 故二极管的电流定额值为 二极管的耐压 式中，U2lm—–整流器输入线电压峰值。 二、变频器主电路设计 平滑滤波电容（C’）的选择 考虑电解电容用作滤波时，和负载的等效电阻的乘积（时间