数字电路与逻辑设计 第6讲.pptVIP

快闪存储器技术的分类 NOR技术 NOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架构。它源于传统的EPROM器件，与其它Flash Memory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。 NOR技术Flash Memory具有以下特点： （程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。 由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。 NAND技术 NAND技术 Flash Memory具有以下特点： 以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有编程和擦除较快的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。 芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器，将很快突破每百兆字节1美元的价格限制。 芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 Samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1Gb NAND技术闪速存储器。 基于NAND的存储器可以取代硬盘或其他块设备。 快闪存储器技术之争 ① NOR与NAND之争 对于NOR型和NAND型快闪存储器，组成它们的晶体管结构是相同的，和普通MOS晶体管相比，多了一个称为浮栅的，由多晶硅作成的控制极，周围由二氧化硅绝缘。两种类型快闪存储单元的区别只是连接方法不同。 ??? 简单的说，NOR型Flash的内部结构和逻辑电路中的NOR门电路类似，存储单元的晶体管都并连到一个位线。任何一个晶体管导通，存储单元的位线都变为0。而NAND型Flash中的晶体管都串接到一个位线，和NAND门电路相同。只有当单元中所有的晶体管都导通，位线才为0。 NOR型随机读取的速度比较快，擦除和写入速度比较慢。因此适合用于程序的读取。一般NOR闪存的接口和EPROM相同，都有单独的地址，数据和控制线，便于直接读取；可以和微处理器连接，直接执行程序编码。 而NAND结构的闪存，相对来说读取速度较慢，而擦除和写入速度则比较快。因此NAND闪存往往用来传送整“页”的数据，即将存储阵列中的数据直接传至微处理器内部的容量达528字节的寄存器。闪存直接和8位数据总线连接，一次传一个字节。这样如果一次读出一个扇面，总的读取时间和NOR闪存相差不多。NAND闪存的集成度比较高，主要设计用作固态文件存储，没有专门的地址线和数据线，只有控制线和8位I/O端口。和硬盘驱动器的IDE接口相似，当NAND闪存更新换代成倍增加容量时，对外物理连接可以保持不变。由于集成度高，写入和擦除速度快，NAND闪存适合用作大容量存储器。 NOR NAND 随机读取时间 80 ns / 16位字 15 μs / 528字节（页） 扇面读取速度 13．2兆字节/秒 12．7兆字节/秒 写入速度 0.2兆字节/秒 2.1 兆字节/秒 擦除速度 0．08兆字节/秒 5．3兆字节/秒 随着数码相机产业的迅猛发展，与NAND相比，近年来NOR闪存由于缺乏关键的应用市场，销售收入增长缓慢。2004年，NAND闪存的成长在70%以上，态势迅猛。iSuppli认为NAND闪存市场仍处于形成阶段，数据存储是NAND的重大应用领域，由于现在预期的应用增加，NAND闪存市场还会有巨大的增长。 ② SLC与MLC之争 什么是SLC或MLC？ 无论是NOR还是NAND闪存，又分为两类： 其一叫做SLC（Single Level Cell），单层单元闪存； 其二叫做MLC（Multi Level Cell），多层单元闪存。 两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存多位数据。 M