soc工艺ch光刻技术课件解析.ppt

影响光刻工艺的主要因素：掩膜版、光刻胶和光刻机。 掩膜版：由透光的衬底材料和不透光的金属吸收材料组成。通常还要在表面淀积一层保护膜，避免掩膜版受到空气中的污染。 光刻胶：又称光致抗蚀剂，是光敏化合物，当受到特定波长光线的作用时化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。 光刻机：是曝光工具，是光刻工艺的核心部分。 本章主要内容 10.1 光刻掩模版的制造 10.2 光刻胶 10.3 光学分辨率增强技术 10.4 紫外光曝光技术 10.5 其它曝光技术 10.6 光刻设备 10.5.4 新技术展望 3、极紫外光刻（EUV） 极紫外光刻原理图 10.5.4 新技术展望 4、无掩模光刻(ML2) 光学无掩模光刻示意图 带电粒子无掩模光刻示意图 10.5.4 新技术展望 4、无掩模光刻(ML2) 光学无掩模光刻示意图 带电粒子无掩模光刻示意图 10.6光刻设备 从平面工艺诞生以来，光刻设备可以分为五代。每一代又以那个时期获得CD和分辨率所需的设备类型为代表。这五个精细光刻时代的代表是： 接触式光刻机； 接近式光刻机； 扫描投影光刻机； 分步重复投影光刻机； 步进扫描光刻机。 10.6.1接触式光刻机 接触式光刻机系统 10.6.2 接近式光刻机 接近式光刻机上的边缘衍射和表面反射 10.6.3扫描投影光刻机 扫描投影光刻机 10.6.4分步重复投影光刻机 步进光刻机的曝光场 10.6.5步进扫描投影光刻机 步进扫描光刻机的曝光场 10.6.6光刻设备的发展趋势 1、光刻设备加工硅片大尺寸化、单片化、高精度化和全自动化 2、设备制造商垄断化 3、设备高价格化 4、设备研制联合化 本章重点 光刻掩模板的制造 光刻胶 光学分辨率增强技术 紫外光曝光技术 其它曝光技术 光刻设备 10.3光学分辨率增强技术 光学分辨率增强技术包括移相掩模技术（phase shift mask )、 离轴照明技术(off-axis illumination)、光学邻近效应校正技术(optical proximity correction)、光瞳滤波技术（pupil filtering technology）等。 10.3.1移相掩模技术 移相掩模（PSM）的基本原理是在光掩模的某些透明图形上增加或减少一个透明的介质层，称移相器，使光波通过这个介质层后产生180°的位相差，与邻近透明区域透过的光波产生干涉，抵消图形边缘的光衍射效应，从而提高图形曝光分辨率。移相掩模技术被认为是最有希望拓展光学光刻分辨率的技术之一。 10.3.1移相掩模技术 通过移相层后光波与正常光波产生的相位差可用下式表达： 式中 d——移相器厚度； n——移相器介质的折射率； λ——光波波长。 10.3.1移相掩模技术 附加材料造成 光学路迳差异， 达到反相 10.3.1移相掩模技术 移相掩模的主要类型有： 交替式PSM 衰减型PSM 边缘增强型PSM 无铬PSM 混合PSM 10.3.2离轴照明技术 离轴照明技术（OAI）是指在投影光刻机中所有照明掩模的光线都与主光轴方向有一定夹角，照明光经过掩模衍射后，通过投影光刻物镜成像时，仍无光线沿主光轴方向传播。是被认为最有希望拓展光学光刻分辨率的一种技术之一。它能大幅提高投影光学光刻系统的分辨率和增大焦深。 离轴照明的种类有：二极照明、四极照明、环形照明等。 10.3.2离轴照明技术 可以减小对分辨率的限制、增加成像的焦深且提高了MTF 10.3.2离轴照明技术 部分相干照明(σ)时，传统光刻截止分辨率为R传统＝λ/2NA(1+σ)。离轴照明时，所照明光都与主光轴有一定的夹角，光经过掩模衍射，由投影透镜成像时，系统截止频率为 式中，θ为照明倾斜角。显然离轴照明技术有利：提高分辨率。 10.3.2离轴照明技术  OAI的原理 例如：当?1＝NA（1＋S）时，R可以提高1倍！ 10.3.2离轴照明技术 实现方式：环形照明 四极照明 两极照明 在投影曝光系统中，掩模图形的空间像的对比度（MTF）依赖于投影物镜中参与成像的1级以上衍射光的比例。由于收集了较多高频信号，离轴照明技术通过降低成像光束中的低频成分来提高高频成分在总光强中的比例，从而提高了空间像的对比度。 10.3.3光学邻近效应校正技术 光学邻近效应（OPC）是指在光刻过程中，由于掩模上相邻微细图形的衍射光相互干涉而造成像面光强分布发生