现代微型计算机与接口教程(杨文显)第二章课后答案.docVIP

习 题 二 内存储器主要分为哪两类？ 它们的主要区别是什么？ 内存储器分为随机存取存储器RAM（Radom Access Memory）和只读存储器ROM（Read Only Memory）两类。 RAM中信息可以按地址读出，也可以按地址写入。RAM具有易失性，掉电后原来存储的信息全部丢失，不能恢复。 ROM 中的信息可以按地址读出，但是在普通状态下不能写入，它的内容一般不能被改变。ROM具有“非易失性”，电源关闭后，其中的信息仍然保持。 说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。 SRAM：静态RAM，读写速度快，但是集成度低，容量小，主要用作Cache或小系统的内存储器。 DRAM：动态RAM，读写速度慢于静态RAM，但是它的集成度高，单片容量大，现代微型计算机的“主存”均由DRAM构成。 MROM：掩膜ROM，由芯片制作商在生产、制作时写入其中数据，成本低，适合于批量较大、程序和数据已经成熟、不需要修改的场合。 PROM：可编程ROM，允许用户自行写入芯片内容。芯片出厂时，所有位均处于全“0”或全“1”状态，数据写入后不能恢复。因此，PROM只能写入一次。 EPROM：可擦除可编程只读存储器，可根据用户的需求，多次写入和擦除，重复使用。用于系统开发，需要反复修改的场合。 回忆： 半导体存储器芯片容量取决于存储单元的个数和每个单元包含的位数。存储容量可以用下面的式子表示： 存储器容量（S）＝存储单元数（p）×数据位数（i） 存储单元个数（p）与存储器芯片的地址线条数（k）有密切关系：p=2k，或k＝log2（p）。 数据位数i一般等于芯片数据线的根数。 存储芯片的容量（S）与地址线条数（k）、数据线的位数（i）之间的关系因此可表示为：S＝2k×i 已知一个SRAM芯片的容量为8K×8，该芯片有一个片选信号引脚和一个读/写控制引脚，问该芯片至少有多少个引脚？地址线多少条？数据线多少条？还有什么信号线？ 根据存储芯片地址线数量计算公式，k＝log2（1024*8）= log2（213）=13，即总计有13根地址线。另有8根数据线、2根电源线。所以该芯片至少有25（=13+8+1+1+2）根引脚。 巳知一个DRAM芯片外部引脚信号中有4根数据线，7根地址线，计算它的容量。 因为：DRAM芯片把片内地址划分为“行地址”和“列地址”两组，分时从它的地址引脚输入。所以，DRAM芯片地址引脚只有它内部地址线的一半。 根据存储容量计算公式S＝2k×I，可得该芯片的存储容量为：214*4=16K×4bit（位），也可表示为64Kb=8KB（字节）。 32M×8的DRAM芯片，其外部数据线和地址线为多少条? 根据存储芯片地址线数量计算公式，k＝log2（1024*1024*32）= log2（225）=25，即需要25根地址线。但是，由于DRAM芯片的地址采用分时输入的方法，所以实际需要的地址线只有理论值的一半，此处为13根。数据线8根。 DRAM为什么需要定时刷新? DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的有无决定所存信息是0还是1，由于漏电流的存在，它存储的信息不能长时间保存，需要定时重新写入，称为“刷新”。 74LS138译码器的接线如图2.28所示，写出、、、所决定的内存地址范围。 从图看出，该存储系统的片内地址线有13根（A12-A0），是一个由8KB存储芯片组成的存储系统，A17地址线不确定。它的地址分布为： 00?0, CBA?, ????, ????, ???? 其中，CBA作为译码输入，与输出选择有关： 当为000，选中y0, 为001，选中y1, 为010，选中y2, 为011，选中y3,…. “?”表示可以为“0”，也可以为“1”。 于是： 对应的内存地址范围是： 00000H—01FFFH；或20000H—21FFFH。 对应的内存地址范围是： 04000H—05FFFH；或24000H—25FFFH。 对应的内存地址范围是： 08000H—09FFFH；或28000H—29FFFH。 对应的内存地址范围是： 0C000H—0DFFFH；或2C000H—2DFFFH。 叙述EPROM的编程过程，并说明EPROM和EEPROM的不同点。 EPROM的编程过程 标准编程方式： Vpp上加编程电压，地址线、数据线上给出要编程单元的地址及其数据，并使＝0、＝1。上述信号稳定后，在端加上宽度为50±5ms的负脉冲，就可将一个字节的数据写入相应的地址单元中。不断重复这个过程，将数据逐一写入。 快速编程方式： 使用100μs的编程脉冲依次写完所有要编程的单元，然后从头开始校验每个写入的字节。若写得不正确，则重写这个单元。写完后再校验，不正确还可再写，直到全部正确。 EPROM和EEPROM的不同