01第一章与第二章绪论与常用半导体器件原理教程讲解.pptVIP

* * * * ［例2.3.7］二极管限幅电路如图 (a) 所示，其中二极管D1和D2的导通电压UD(on) = 0.3 V，交流电阻rD ? 0。输入电压ui的波形在图 (b) 中给出，作出输出电压uo的波形。 * 解：D1处于导通与截止之间的临界状态时，其支路两端电压为 - E - UD(on) = - 2.3 V。当ui - 2.3 V时，D1导通，uo = - 2.3 V；当ui - 2.3 V时，D1截止，支路等效为开路，uo = ui。所以D1实现了下限幅；D2处于临界状态时，其支路两端电压为 E + UD(on) = 2.3 V。当ui 2.3 V时，D2导通，uo = 2.3 V；当ui 2.3 V时，D2截止，支路等效为开路，uo = ui。所以D2实现了上限幅。综合uo的波形如图 (c) 所示，该电路把ui超出 ? 2.3 V的部分削去后进行输出，完成双向限幅。 * 三、电平选择电路 ［例2.3.9］图 (a) 给出了一个二极管电平选择电路，其中二极管D1和D2为理想二极管，输入信号ui1和ui2的幅度均小于电源电压E，波形如图 (b) 所示。分析电路的工作原理，并作出输出信号uo的波形。 * 解：因为ui1和ui2均小于E，所以D1和D2至少有一个处于导通状态。不妨假设ui1 ui2，则D1导通后，uo = ui1，结果D2上加的是反向电压，处于截止状态；反之，当ui1 ui2时，D2导通，D1截止，uo = ui2；只有当ui1 = ui2时，D1和D2才同时导通，uo = ui1 = ui2。uo的波形如图 (b) 所示。该电路完成低电平选择功能，当高、低电平分别代表逻辑1和逻辑0时，就实现了逻辑“与”运算。 * 2.4　双极型晶体管 NPN型晶体管 PNP型晶体管 晶体管的物理结构有如下特点：发射区相对基区重掺杂；基区很薄，只有零点几到数微米；集电结面积大于发射结面积。 * 发射结正偏，集电结反偏。 一、发射区向基区注入电子 ?　 电子注入电流IEN， 空穴注入电流IEP? 二、基区中自由电子边扩散 边复合 ?　 　基区复合电流IBN? 三、集电区收集自由电子 ? 收集电流ICN 反向饱和电流ICBO 2.4.1　晶体管的工作原理 * 　　晶体管三个极电流与内部载流子电流的关系： * 共发射极直流电流放大倍数： 共基极直流电流放大倍数： 换算关系： 晶体管的放大能力参数 * 晶体管的极电流关系 ?描述： ? 描述： * 2.4.2　晶体管的伏安特性 一、输出特性 放大区(发射结正偏，集电结反偏 ) 共发射极交流电流放大倍数： 共基极交流电流放大倍数： 近似关系： 恒流输出和基调效应 饱和区(发射结正偏，集电结正偏 ) ?　 饱和压降 uCE(sat) ? 截止区(发射结反偏，集电结反偏 ) ?极电流绝对值很小 * 二、输入特性 　　当uBE大于导通电压 UBE(on) 时，晶体管导通，即处于放大状态或饱和状态。这两种状态下uBE近似等于UBE(on) ，所以也可以认为UBE(on) 是导通的晶体管输入端固定的管压降；当uBE UBE(on) 时，晶体管进入截止状态。 晶体管电流方程： * 2.4.3　晶体管的近似伏安特性和简化直流模型 近似伏安特性 简化直流模型 I——放大区 II——饱和区 III——截止区 * 2.4.4　直流偏置下晶体管的工作状态分析 　　实际应用需要使晶体管处于放大状态、饱和状态或截止状态，从而实现不同的功能。这是通过控制发射结和集电结的正偏与反偏来实现的。 　　确定直流偏置下晶体管工作状态的基本步骤： 　　1．根据外电路电源极性判断发射结是正偏还是反偏。如果发射结反偏或正偏电压不到 | UBE(on) | ，则晶体管处于截止状态，IB、IC和IE均为零，再由外电路计算极间电压UBE、UCE和UCB； 　　2．如果第1步判断发射结正偏电压达到 | UBE(on) | ，则晶体管处于放大状态或饱和状态，再判断集电结是正偏还是反偏。如果集电结反偏，则晶体管处于放大状态，这时UBE = UBE(on) 。根据外电路和UBE(on) 计算IB，接下来IC = bIB，IE = IB + IC。再由这三个极电流和外电路计算UCE和UCB； 　　3．如果第2步判断集电结正偏，则晶体管处于饱和状态。这时 UBE = UBE(on) ，UCE = UCE(sat) ，UCB = UCE - UBE，再由这三个极间电压和