1.4_光传感器教程讲解.ppt

一 光电效应 外光电效应: 在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象。如光电管、光电倍增管 内光电效应: 在光线作用下能使物体电阻率改变的现象，如光敏电阻等属于这类光电器件。 阻挡层光电效应(光生伏特效应): 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动势的现象。如光电池、光敏晶体管等 光电器件 光电管 光电倍增管 光敏电阻 光敏二极管和光敏晶体管 光电池 1 光电管 2 光电倍增管 光电倍增管的结构 与工作原理 光电阴极　　光电倍增极　　　阳极 倍增极上涂有Sb-Cs或Ag-Mg等光敏材料，并且电位逐级升高。阴极发射的光电子以高速射到倍增极上，引起二次电子发射。 二次电子发射系数 σ = 二次发射电子数／入射电子数。 若倍增极有n，则倍增率为σn 。 （1） 光敏电阻的工作原理及结构 光敏电阻的结构 （2） 光敏电阻的主要参数 a. 暗电阻和暗电流 光敏电阻在室温条件下，在全暗后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时流过的电流，称为暗电流。 b. 亮电阻 光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。 c. 光电流 亮电流与暗电流之差，称为光电流。 （4） 光敏电阻的应用 由于光敏自动控制中，如电阻光照特性的突变性，一般可作为开关元件用于摄影所需的曝光表电路中。 工作原理： 正常情况下灯泡亮，光线充足，光敏电阻LDR阻值较小，T1截止，T2截止，T3截止，扬声器不发声； 烟雾浓度较高时，光线较暗，光敏电阻LDR阻值变大，T1导通，T2导通，T3导通，扬声器发声报警。 （1）光敏二极管 结构与一般二极管相似，装在透明玻璃外壳中在电路中一般是处于反向工作状态的，无光照时，因二极管反向电阻很大，光电流很小，一旦有光照，因二极管PN结被激发产生电子－空穴对，反向电阻很小，光电流明显增大。 （2）光敏晶体管 ：NPN和PNP两种 与一般晶体管很相似，具有两个PN结。把光信号转换为电信号同时，又将信号电流加以放大。 比光敏二极管更灵敏。 （3）伏安特性 （5）光照特性 工作原理： VD1为光敏二极管，无光照射时， VD1呈现大阻值，VT1截止，电路不工作。 开灯原理：用一手电筒（或其它光源）短暂照射VD1， VD1阻值减小，VT1导通，VD2、VT3导通，继电器K1闭合：一方面，常开触点K1-2闭合，Xs插座通电，灯亮；另一方面，常开触点K1-1闭合，VD2截止，且光源撤离后使 VT1截止。VT3保持导通，使K1保持吸合，电路稳定。 关灯原理：用手电筒用（或其它光源）长时照射VD1， VD1阻值减小，VT1导通，VD2由于K1-1闭合保持截止，电源通过R2向C1充电，VT2基极电位升高，过一段时间后VT2导通，使VT3截止，继电器K1断开，常开触点K1-2打开，Xs插座断电，灯灭。 工作原理： VT1采用3DU5型光电三极管。 平时在环境光线照射下呈低阻状态，VT2基极通过R2接正电位而导通，IC1语音集成电路得不到正触发脉冲不工作。 当VT1被物体遮挡时，产生一负脉冲电压，通过C1耦合到VT2基极使VT2截止，IC1获得一正触发脉冲而工作，输出音频信号，此信号通过VT3放大后，推动扬声器BL发出警报声。 5 光电池 直接将光能转换为电能的光电器件，是一个大面积的PN结。当光照射到PN结上时，便在PN结的两端产生电动势(P区为正，N区为负) 。 用导线将PN结两端用导线连接起来，就有电流流过，电流的方向由P区流经外电路至N区。若将电路断开，就可以测出光生电动势。 有光线作用下实质上就是电源，电路中有了这种器件就不再需要外加电源。 （1）光谱特性 光电池对不同波长的光，灵敏度不同。 （2）光照特性 不同光照度下，光电流和光生电动势是不同的。 （1）CCD的基本结构及原理 CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列，其构造如图所示。 （2） CCD图像传感器的应用 CCD图像传感器具有高分辨率、高灵敏度、较宽的动态范围，所以它可广泛用于自动控制和自动测量，尤其适用于图像识别技术。 光电池的应用举例－感光防盗报警器 硅光电池 三 光耦合器件（复合型） 光耦合器件是由发光与受光器件组成,输入端与输出端在电气上是绝缘的，只能由光来传递信号。通常将发光元件与受光元件同时密封于一个管壳内形成，根据其光路外露与否有光耦合器和光断续器之分。 光电耦合器和光断续器所用的发光、受光器件都相似。光电耦合器主要用于电路的隔离，光断续器主要是用来测试目标物体的有无。 1 发光二极管 外加电压通过电 阻获得电流使发 光二极管发光， 一般要求电流 IF＝10mA。 电源接通指