材料科学基础基本知识简介.pptVIP

§4-1 非晶态固体的特征与表述一、非晶态固体的结构特征 非晶态固体的微结构 无序态的类型 双体相关函数 §4-1 非晶态固体的特征与表述二、非晶态固体的结构表征函数 （一）径向分布函数RDF 原子径向分布函数 约化径向分布函数 (二)结构描述参数 结构精确描述参量 §4-1 非晶态固体的特征与表述三、非晶态固体的短程序 短程序分类 （一）化学短程序（CSRO） 化学短程序 化学短程序参数 (二)几何短程序(GSRO)与局域结构参数 Voronoi多面体 Voronoi多面体的指数(Fi)描述 Voronoi多面体与配位数及局域原子体积? §4-2 非晶态半导体一、非晶半导体的结构模型 结构原子间的几何关系定义 几何短程有序GSRO 几何短程序局域结构参数 1.非晶态固体内的流体静压力P 2.Von Mises切应力? 3.与近邻原子的球对称性发生椭圆偏离的度量参数? §4-2 非晶态半导体一、非晶半导体的结构模型 蚀状组态和交错组态 非晶半导体结构模型 微晶模型 非晶子模型 连续无规网络模型(CRN) 描述非晶半导体的两类参量：一类是局域原子团，由短程有序参数确定；另一类参量表征局域原子团互连成网络的拓扑特点。 §4-2 非晶态半导体二、非晶半导体的微结构 硅和锗的结构 III-V族结构 硫系非晶半导体结构 a-Si:H薄膜结构 a-Si:H的两相结构模型 §2-2位错一、位错的结构类型 螺型位错： 连续弹性介质模型：弹性圆柱切开至中心，然后将切面两侧沿z轴相对移动b，再粘合起来，就得到沿z轴的螺型位错模型 §2-2位错二、位错的应力场 (二)位错的应变能与线张力 刃型位错、螺型位错、混合型位错应变能的计算 位错线张力：位错线长度增加一个单位时，晶体能量的增加 直线形位错：T大约等于mb2 弯曲位错线：正、负位错在远处会部分抵消，系统能量变化小于mb2 ，常取 §2-2位错二、位错的应力场 (三)位错核心 位错核心错排严重，不能再简化为连续弹性体。以点阵模型解决 派—纳(Peierls-Nabarro)模型：实际上是不完全的点阵模型。设晶体由被滑移面隔开的两个半块晶体组成。衔接处直接考虑原子间相互作用，内部简化成连续弹性介质。 派-纳模型中位错的能量组成：两部分。一是两半晶体中的弹性应变能（主要分布于位错核心之外）；另一是滑移面两侧原子互作用能（错排能）（基本集中于位错核心范围内） §2-2位错三、位错的运动 位错的运动方式： 刃型位错：滑移：位错线沿着滑移面移动；攀移：位错线垂直于滑移面的移动。 螺型位错：只作滑移 §2-2位错三、位错的运动 (一)位错的滑移 三类位错的滑移特性 位错滑移的驱动力：设想位错受到一种力而运动（实际上位错是一种原子组态，力是作用于晶体中的原子）。使位错发生运动的力。称为位错运动的驱动力。 注意：驱动力不必一定是外力，晶体内部质点、界面或其它位错引起的应力 §2-2位错三、位错的运动 点阵阻力：源于晶格结构的周期性，滑移面两侧原子之间的相互作用力 派-纳应力：派-纳模型，提出了为克服点阵阻力推动位错前进所必须的滑移力和相应的切应力： §2-2位错三、位错的运动 (二)位错攀移 位错攀移特征：与滑移不同，位错攀移时伴随物质迁移，需扩散实现。需要热激活，比滑移需要更大的能量。另外，易在多余半原子面边缘产生曲折 单位长度位错线所受的化学攀移力： 单位长度位错线所受的弹性攀移驱动力： §2-2位错四、位错与缺陷的相互作用 (一)位错之间的相互作用 1、位错间的弹性相互作用：位错的弹性应力场间发生的干涉和相互作用，将影响到位错的分布和运动 2、位错塞积：许多位错被迫堆积在某种障碍物前，它们来自同一位错源，具相同的柏格斯矢量，障碍物如晶界 3.位错反应 :位错之间的相互转化。譬如一分为二或两合为一， §2-2位错四、位错与缺陷的相互作用 (二)位错与点缺陷的相互作用 位错与溶质原子的相互作用能 史诺克(Snoek)气团 柯垂耳(Cottrell)气团 电学相互作用 化学相互作用 空位、间隙原子和位错的互相转化 §2-2位错五、位错源与位错增殖 （一）位错的来源 位错产生 (二)位错的增殖 弗兰克一瑞德(Frank-Read)源 弗兰克-瑞德源需要施加的应力 弗兰克-瑞德源开动的临界应力 双交滑移增殖机构 单点源 §2-3表面、界面结构及不完整性一、晶体的表面 (一)表面力场 固体表面力 分子间引力主要来源 (二)晶体表面状态 表面能 §2-3表面、界面结构及不完整性一、晶体的表面 (三)晶体