场效应器件物理14频率5CMOS摘要.ppt

C * 10.5 开关特性 CMOS或非 * * 或非门: 全0得1 见1得0 * * 10.5 开关特性 CMOS闩锁效应 p+源区 n阱 p型衬底 n+源区 Ig：大的电源脉冲干扰或受辐照产生。 闩锁效应（Latch up）：寄生的可控硅结构在外界因素触发导通，在电源和地之间形成大电流的通路现象。 * * 10.5 开关特性 CMOS闩锁效应 SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）： 在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体 上 形成 半导体薄膜，制作器件。 优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体CMOS 电路中的寄生闩锁效应。 * * 10.5 开关特性 需掌握内容 CMOS如何实现低功耗，全电平摆幅 CMOS的开关过程及影响因素 思考：单管MOSFET作传输门时输出VT的损失？ CMOS闩锁效应过程 * XIDIAN UNIVERSITY * * 10.6补充 温度特性 u和温度关系：栅压使半导体表面强反型时，u随温度上升呈