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第7章 金属淀积工艺 第7章 金属淀积工艺 本章目标： 第7章 金属淀积工艺 一、基本概念 二、VLSI对金属化的要求 三、金属化的实现 第7章 金属淀积工艺 一、基本概念 1、金属薄膜的用途 2、金属化工艺 3、抗电迁移性 4、可键合性 5、台阶覆盖性 第7章 金属淀积工艺 一、基本概念 1、金属薄膜的用途 第7章 金属淀积工艺 一、基本概念 2、金属化工艺 （1）定义 第7章 金属淀积工艺 一、基本概念 2、金属化工艺 （2）多层金属的框架 第7章 金属淀积工艺 一、基本概念 3、抗电迁移性 第7章 金属淀积工艺 一、基本概念 4、可键合性 5、台阶覆盖性 第7章 金属淀积工艺 二、VLSI对金属化的要求 1、要求 2、常见金属特性比较 3、Al-Si接触 4、掺杂的多晶Si 5、难熔金属及其硅化物 第7章 金属淀积工艺 二、VLSI对金属化的要求 1、要求 第7章 金属淀积工艺 二、VLSI对金属化的要求