第3章 传感器详解.ppt

1. 霍尔效应 将半导体薄片放入垂直于半导体表面的磁场中，在半导体的(a,b)两端通以电流，则在半导体两侧面(c,d)产生与控制电流和磁场强度乘积呈正比的电动势。 三、霍尔式传感器 半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象——霍尔效应。 产生的电动势——霍尔电势； 半导体薄片——霍尔元件。 工作原理 当磁场垂直于半导体薄片作用，而在沿半导体长度方向有电流流过时，由于半导体中的电子(载流子)在磁场中运动，使电子受到洛伦兹力FL作用。 n型半导体材料，载流子为电子；p型半导体材料，载流子为空穴。 三、霍尔式传感器 洛伦兹力 在洛伦兹力作用下，电子被推向一侧形成电子积（负电荷），在另一侧形成正电荷积累→电场。 电场力FE阻止电子向该侧面继续偏移。 三、霍尔式传感器 洛伦兹力FL = 电场力FE时，电子积累达到动平衡。 此时在两侧面建立的电场——霍尔电场，相应的电势——霍尔电势UH 。 三、霍尔式传感器 电场力 流经载流体的电流与载流子运动速度之间关系 RH—霍尔常数，取决于载流体材料物理性质，RH= 1/ne； KH ——霍尔元件灵敏度，表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位激励电流作用下霍尔电势大小，mV/mA·T。 KH= 1/ned →金属材料电子密度n大，不适合做霍尔元件；霍尔元件做成薄片（d小） 三、霍尔式传感器 基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用n型半导体材料。 霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。 2. 霍尔元件结构 三、霍尔式传感器 霍尔片是半导体单晶薄片(一般4mm×2mm×0.1mm)，在其长度方向两端面上焊有a、b两根引线(控制电流端引线)，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在另两侧端面焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。 霍尔元件壳体用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。 三、霍尔式传感器 3. 应用 霍尔元件置于磁场中，左半部磁场方向向上，右半部磁场方向向下； 从 a端通电流i→左半部产生霍尔电势VH1，右半部产生霍尔电势VH2，其方向相反→ c、d两端电势为VH1 ? VH2 。 如果霍尔元件在初始位置时VH1 = VH2 ，则输出为零； 改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时，即可得到输出电压，其大小正比于位移量。 三、霍尔式传感器 磁场变化→霍尔电势 (a) 角位移 (b) 线位移 (c) 加速度 (d) 零件计数 (e) 转速 (f) 压力 霍尔元件工程测量应用 将温度变化转换为电量变化的传感器——热电偶温度计 (一)热电偶测温原理 基于两种不同材料的热电效应：由两种不同的导体(或半导体)组成的闭合回路，当两导体A和B的两个结点处温度不同时，回路中产生热电势。 简单热电测温系统 基本要求：在所测温度范围内具有较好的灵敏度和直线性；熔点足够高，物理化学性能稳定；导电性和抗氧化性能好，电阻温度系数小等 四、热电式传感器 (二) 热电势 1. 接触电势：电子从自由电子密度高的材料向低的材料流动。 2. 温差电势：电子从高温端向低温端流动。 3. 总热电势 四、热电式传感器 温差电势与接触电势相比小得多，热电偶测温中，主要是接触电势起作用。 (三)热电偶基本定律 1.均匀回路定律 问：由同一种导体组成的闭合回路能产生热电势吗? 四、热电式传感器 2．中间温度定律 热电偶A、B在接点温度t，t0时的热电势等于该热电偶在接点温度t，tn与tn ，t0时的热电势之和。 如tn为变值，而测得eAB(t，tn)后，将eAB(tn，t0)作修正值，用上式求得eAB(t，t0)值——将热电偶分度表的t0取作定值，即t0=0 eAB(tn，t0)称为非标准冷端的补偿值。 四、热电式传感器 3. 中间导体定律 回路中加入第三种导体，只要加入的导体两端温度相同，则对回路的热电势没有影响 四、热电式传感器 4. 参考电极定律(标准电极定律) 热电偶结点温度为t，t0时所产生的热电势，等于该热电偶的两个电极A、B分别与参考电极C(标准电极)组成的两个热电偶的热电势之差（代数和）。 四、热电式传感器 A B C t0 t C A B t t t0 t0 原理：铁芯在螺管线圈中移动→磁路磁阻变化→线圈自感变化。 优点：螺管可以做得很长→适于测量较大位移（数百毫米）； 缺点：灵敏度低（磁场分布不均造成）。 三、电感式传感器 3)螺线管型 差动式优点：线性好；灵敏度提高1倍；温度变化、电源波动、外界干扰对传感器精度的影响能互相抵消而减小。 三、电感