数字电路逻辑设计_第三章解析.ppt

5．74LS系列——为低功耗肖特基系列。 6．74AS系列——为先进肖特基系列，它是74S系列的后继产品。 7．74ALS系列——为先进低功耗肖特基系列，是74LS系列的后继产品。 章小 本章从集成逻辑门的性能指标出发，以TTL和CMOS门为重点，介绍了双极型和单极型的集成门电路。 1.目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由NPN型三极管组成，简称TTL集成电路；另一类由MOSFET构成，简称MOS集成电路。 2.逻辑门不能随便采用线与接法，只有OC门才能线与。 3.MOS集成电路常用的是两种结构。一种是NMOS门电路，另一类是CMOS门电路。与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数大，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字集成电路的发展方向。 4.集成门电路使用中有实际问题，不同类型的组件，输入输出电平不同，必须通过合适的接口才能把它们连接起来。 4. CMOS门电路的构成规律 (1) 判断是驱动管串联、负载管并联，还是驱动管并联、负 载管串联。 (2) 判断是驱动管先串后并、负载管先并后串，还是驱动 管先并后串、负载管先串后并。 (3) 驱动管相串为“与”运算，相并为“或”运算。先串后并为 先“与”后“或”，先并后串为先“或”后“与”。驱动管组和 负载管组连接点引出输出为“取反”。 3.4 CMOS电路 3.4.5 集成门电路使用中的实际问题 1. TTL电路与CMOS电路的接口 (1) 用TTL电路驱动CMOS电路 驱动门为TTL电路,负载门为CMOS电路,主要考虑的是电平匹配。 ① 若CMOS门的电源为5V，在TTL电路的输出端接一个上拉电阻 (例如3.3 kΩ)至电源VCC(+5V)。此时，CMOS电路相当于一个同 类TTL电路的负载。 1 1 TTL CMOS 5V R 3.4 CMOS电路 ②如果CMOS电路的电源较高，TTL的输出端仍可接一上拉电阻，但需使用集电极开路门(如T1006)电路。 1 1 TTL CMOS 5V R VDD ③ 采用专用集成电路。如专用的CMOS电平移动器(例如40109) TTL与CMOS之间的电平移动 3.4 CMOS电路 (2) 用CMOS电路驱动TTL电路 当CMOS电路驱动TTL电路时，由于CMOS驱动电流较小 (特别是输出低电平时)，所以对TTL电路的驱动能力很有限。 因此可以用三极管反相器作为接口电路，即用三极管电流放大器 扩展电流驱动能力，其电路如图所示。 CMOS电路通过三极管放大器驱动TTL电路 3.4 CMOS电路 2. MOS电路使用注意事项 　　(1) 输入电路的静电防护 　　措施：运输时最好使用金属屏蔽层作为包装材料；组装、调试时，仪器仪表、工作台面及烙铁等均应有良好接地；不使用的多余输入端不能悬空，以免拾取脉冲干扰。 　　(2) 输入端加过流保护 　　措施：在可能出现大输入电流的场合必须加过流保护措施。如在输入端接有低电阻信号源时、在长线接到输入端时、在输入端接有大电容时等，均应在输入端接入保护电阻RP。 3.4 CMOS电路 　　(3) 防止CMOS器件产生锁定效应 　　措施：在输入端和输出端设置钳位电路；在电源输入端加去耦电路，在VDD输入端与电源之间加限流电路，防止VDD端出现瞬态高压；在vI输入端与电源之间加限流电阻，使得即使发生了锁定效应，也能使T1、T2电源限制在一定范围内，不致于损坏器件。 　　如果一个系统中由几个电源分别供电时，各电源开关顺序必须合理，启动时应先接通CMOS电路的电源，再接入信号源或负载电路；关闭时，应先切断信号源和负载电路，再切断CMOS电源。 3.4 CMOS电路 各类数字集成电路主要性能参数的比较 VNH/V VNL/V 5 1.5 1.0 8 ×10－3 1×10－3 8 ＋5 高速CMOS 15 9.0 6.5 180 ×10－3 15×10－3 12 ＋15 VDD=15V 5 3.4 2.2 225 ×10－3 5×10－3 45 ＋5 VDD=5V CMOS 0.8 0.130 0.135 30 40 0.75 －4.5 CE100K系列 0.8 0.125 0.155 50 25 2 －5.2 CE10K系列 ECL 13 7.5 7 2550 30 85 ＋15 HTL 3.5 0.5 0.4 15 2 7.5 ＋5 CT54LS/74LS 3.5 2.2 1.2 150 15 10 ＋5 CT54/74 TTL 输出逻辑摆幅/V 直流噪声容限 功耗－延迟积/mW-ns 静态功耗/mW 传输延迟时间/ns 电源电压/V 电路类型 目