研究生课程材料加工学-高分子部分4技朮方案.pptVIP

工程材料 6. 高分子复合材料的再生技术与容易再生的复合材料 2. 化学气相沉积法 Chemical Vapor Deposition, CVD 包括常压CVD、低压CVD、等离子CVD、高密度CVD、热电偶CVD、热等离子CVD、电子轰击CVD、微波等离子CVD以及直流等离子CVD等。 常压CVD：在温度400~ 800℃，大气压下通过气体状态提供原料，根据在基板表面的化学催化反应来堆积薄膜，这种方法能使薄膜高速成长，而且不需要复杂的真空系统。但薄膜厚度的均匀性难以得到保证。 常压CVD装置 低压CVD：温度400~800℃，压力 0.1~30 ×133.322Pa，使薄膜在减压下成长。用这种方法生成的薄膜质量较好，可用于大量生产。 低压CVD装置 等离子CVD：在提供原料气体时，附加高频电压使原料气体等离子化，然后在温度200~400℃和低压下生成薄膜。 等离子CVD装置 高密度等离子CVD法： 高密度等离子CVD装置 在制备室外加上感应线圈，并通过感应线圈对制备室加热，使基板附近的反应气体分解。另一方面，为了加速气体分解，在基板底座上附加直流电压。从而在数十 133.322Pa 的压力下使得基板表面高速生成薄膜。这种方法可被用于制备各种薄膜。 3. 物理气相沉积法 Physical Vapor Deposition, PVD 通过在高真空中以高能量将附加了负高电压的电极靶中的