太阳能级多晶硅工艺生产的综述分析.pptVIP

太阳能级多晶硅工艺生产的综述 高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），高纯的多晶硅，最后制成半导体材料硅单晶。工业上是用硅石（SiO2）和焦炭以一定比例混淆，在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯净度为95%~99%的粗硅，其反映如下：SiO2+2C=Si+2CO 粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最 后制成半导体材料硅单晶。工业上是用硅石（SiO2）和焦炭以一定比例混淆，在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯净度为95%~99%的粗硅，其反映如下：SiO2+2C=Si+2CO 粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些个杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯净度，可接纳酸浸洗法，使杂质大部门溶解（有少量的碳化硅不溶）。其生产工艺过程是：将粗硅破坏后，依次用盐酸、王水、（HF+H2SO4）混淆酸处理，最后用蒸馏水洗至中性，烘干后可得含量为99.9%的工业粗硅。高纯多晶硅的制备方法许多，据布纯粹计数有十几种，但所有的方法都是从工业硅（或称硅铁，因为含铁较多）开始，首先制取既易高提纯又易分解（即还原）的含硅的中间化合物如SiCl四、SiHCl三、SiH4等，再使这些个中间化合物高提纯、分解或还原成高纯净度的多晶硅。质，这些个杂质多以硅化构成硅酸