李战怀-大数据环境下数据存储与管理的研究.pptVIP

* * * * * * SSD是nvm/scm技术的一个具体应用呈现（将新型存储介质封装成固态盘进行使用）. SSD 除了用于存储数据的闪存芯片外，还包含：闪存转换层(FTL)-软件层，实现逻辑页到物理页映射、磨损平衡控制、垃圾回收等，控制器。 NOR：可以替代ROM。把只读属性的映象文件，如启动引导程序blob、内核、系统文件存放在NOR?Flash中， NAND?[n?nd]：可以替代HDD。而把一些读写类的文件，如用户应用程序等存放在NAND?Flash?中 NAND Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell，这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。 然后，每32个page形成一个Block，Block是NAND Flash中最大的操作单元，擦除就是按照block为单位完成的，而编程/读取是按照page为单位完成的。 NAND闪存还可以细分为：SLC\MLC\TLC SLC单级晶胞（Single-Level Cell ，即1bit/cell）一般来说，一个cell中只能存储一个bit。 如果是2个就是MLC 多级晶胞（Multi-Level Cell，即2bit/cell）， 如果是3个TLC（Trinary-Level Cell）。 SLC 速度快、寿命长、昂贵。 TLC 速度慢、寿命短、便宜。 MLC介于两者之间。 =============================================== 所以，按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：-Block AddressAddress-Column Address /s/blog_700884280100mztj.html flash?从结构上大体可以分为AND、NAND、NOR?和DiNOR?等几种. NOR和NAND最常见。这两种结构性能上的异同如下：(1)?NOR?的读速度比NAND?稍快一些。(2)?NAND?的写入速度比NOR?快很多。(3)?NAND?的擦除速度远比NOR?快。(所以 2,3决定了NOR适合做ROM)(4)?NAND?的擦除单元更小，相应的擦除电路也更加简单。(5)?NAND?闪存中每个块的最大擦写次数量是万次，而NOR?的擦写次数是十万次 /archives/372.html FTL：/alan_ding/item/7895367e324d5e3ed7a89c70 /a2011/1122/1277/000001277064_4.shtml * 目前有很多种新型存储介质，这些介质都是分别基于完全不同的技术，但是它们的都符合SCM所提出的的一些性能特征。 PCM 是基于材料电阻经历加热周期的变化 F-RAM是固态存储器，通过分子内的原子位置来储存数据。 MRAM则是以磁性单元为基础。 RRAM 根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上的电压的不同，使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化 忆阻器：忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。 华裔的科学家蔡少棠提出70年代提出，仅在理论上证明可行性，08年HP在nature上发表论文，实现了原型。可用于人工智能。 忆阻器的最有趣特征之一，是它可以记忆流经它的电荷数量。而且这种记忆不是1和0这么简单，它可以包括从1到0之间所有的“灰色”状态，这类似于人类大脑搜集、理解一系列事情的模式。 /article/2008-09-01/1176296.shtml /190shtml RRAM /1/271/271692.htm 最近有突破。网站有好的参考图片 忆阻器：/link?url=dUdhr8qDcA2XgOhRGFm3RlIvBlXafxgR3JruI8de7sw2gFjIv30LodxfmvOygBCWShAB0k1kijus6j0m2C8Daa * 这个表对比了 DRAM \PCM 和 闪存 的一些性能指标。 以PCM为主，因为从目前来看，PCM是最可能大规模产业化并取代DRAM和闪存的新型存储器件 主要分四个主要部分：读写性能、耐久性（使用寿命）、能耗（绿色存储很关注这个指标，特别是对于大型数据中心）、密度（也就是容量） 我们先来看看pcm和nand flash的对比关系。 us 微秒 ns 纳秒=1000微秒 显著优势： 字节可寻址。 读写速度高出几个数量级。因为信息存储在位可变性的存储中。 仅需0和1的转换，没有写前擦除。 而且寿命相对较长，解决了闪存耐写能力不足的问题。可靠性更高。 能耗