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第二章 半导体三极管及 其放大电路 §2-1 半导体三极管 §2-2 共射极基本放大电路 §2-3 分压式射极偏置电路 §2-4 多级放大器 §2-5 负反馈放大电路 §2-6 功率放大电路 放大电路是电子技术中应用十分广泛的一种单元电路。 所谓“放大”,是指将一个微弱的电信号,通过某种装置, 得到一个波形与该微弱信号相同、但幅值却大很多的信号输 出。这个装置就是晶体管(三极管)放大电路。“放大”作用的实质是电路对电流、电压或能量的控制作用。 扬声器负载 输入信号源 扩音器中放大电路的组成 为放大器提供能量的直流电源 RS + - US 放大电路 + - u0 i0 话筒将送来的微弱音频信号变为微弱的电信号 引 入:扩 音 器 电 路 电信号→声信号 ui 放 大 电 路 微弱输入小信号ui u0 幅度大大增强的输出信号u0 放大电路的放大作用,实质是把直流电源UCC的能量转移给输出信号。输入信号的作用则是控制这种转移,使放大电路输出信号的变化重复或反映输入信号的变化。 放大电路的核心元件是半导体三极管和场效应管,因此,首先,我们来学习研究一下半导体三极管。 §2-1 半导体三极管 学习目标 1.了解三极管的结构、符号和分类(重点) 2.了解两种不同类型(PNP和NPN)的三极管(重点) 3.掌握三极管的电流放大作用(重点难点) 4.掌握三极管的特性曲线,并能判断三极管的工作状态 (重点难点) 5.掌握三极管的识别和简单测试(难点) 半导体三极管(晶体管)图片 一、三极管的结构、符号和类型 1、结构和符号 N N P 基极 发射极 集电极 B E C 符号: B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 NPN型 V V 三个极: 三个区: 两个PN结: 基极b、集电极c、发射极e 基区、发射区、集电区 发射结、集电结 三极管的内部结构和符号: 基区:最薄, 掺杂浓度最低 发射区:掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点: 集电区: 面积最大 2.类型 按极性分 NPN型—I:c→e PNP型—I:e→c 按材料分 硅三极管 锗三极管 按工作 频率分 低频~ 高频~ 按功率分 小功率~ 大功率~ 按用途分 放大管—应用模电 开关管—应用数电 二、三极管的电流放大作用 IE IB RB EB UBE IC EC 输入电路 输出电路 公共端 三极管具有放大作用的外 部条件: 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN 管: UBE0 UBC0 即:VCVBVE PNP 管: UBE0 UBC0 即:VCVBVE RC UCE B C E 共射极放大电路 1、三极管的工作电压 2、三极管的电流放大作用 (1) 发射区向基区注入电子,形成发射极电流IE。 电子在基区中的扩散与复合形成基极电流IB。 (3) 集电区收集电子形成 集电 极电流 IC 。 EB RB IB IC EC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子,补充被复合的空穴,形成IB 上页 下页 返回 2、实验数据: 2.96 2.37 1.77 1.16 0.57 0.01 IB+IC (mA) 2.96 2.37 1.77 1.16 0.57 0.01 IE (mA) 2.91 2.33 1.74 1.14 0.56 0.01 IC (mA) 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 IB (mA) IE=IB+IC 58.2 58.25 58 57 56 IC/IB 2.96 2.37 1.77 1.16 0.57 0.01 IE (mA) 2.91 2.33 1.74 1.14 0.56 0.01 IC (mA) 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 IB (mA) β= IC IB — ≈58 三极管各极电流分配关系满足: 发射极电流IE等于基极电流IB和集电极电流IC之和。 又因为基极电流IB很小,所以集电极电流IE与发射极电流IC近似相等。即 IE≈IC。 3、结论: IE=IB+IC=(1+β) IB 三极管电流放大的实质是:用较小的基极电流控制较大的集电极电流 三、三极管的特性曲线 1. 输入特性 (1) 输入特性是非线性的, 有死区。 (2) 当uBE不变,uC
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