模拟电子技术(第四版)习题解答.doc

模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组 编 童诗白 华成英 主编 自测题与习题解答 山东大学物理与微电子学院 目录 第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126 第1章 常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。√ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。√ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。() (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。√ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 大于零，则其输入电阻会明显变小。() 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN