ch11MOS基础_2CV_3MOS原理.pptVIP

半导体物理与器件 西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 张丽 第11章 MOSFET基础1.2 C-V特性　1.3MOS管原理 11.2C-V特性 内容 理想情况CV特性 频率特性 氧化层电荷及界面态的影响 实例 小节内容 理想情况CV特性 CV特性概念 堆积平带耗尽反型下的概念 堆积平带耗尽反型下的计算 频率特性 高低频情况图形及解释 小节内容 氧化层电荷及界面态的影响 氧化层电荷影响 及曲线 界面态概念 界面态影响概念 曲线 1.3节内容 MOS结构 电流电压关系——概念 电流电压关系——推导 跨导 衬底偏置效应 1.3 MOSFET原理 MOSFET分类(4) 小节内容 MOSFET结构、种类、横截面图、符号图 电流电压关系——定性，输出特性曲线四个区，转移特性曲线三个区。 沟道中的电流是由漂移而非扩散产生的 栅氧化层中无电流 缓变沟道近似，即垂直于沟道方向上的电场变化远大于平行于沟道方向上的电场变化 氧化层中的所有电荷均可等效为Si-SiO2界面处的有效电荷密度 耗尽层厚度沿沟道方向上是一个常数 沟道中的载流子迁移率与空间座标无关 衬底与源极之间的