半导体理器件物课件.pptVIP

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  • 2016-06-16 发布于广东
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半导体理器件物课件.ppt

(3-74) 截止频率 等于从发射极到集电极的信号传播中的全部时间延迟的倒数。因而有 截止频率对工作电流的依赖关系: 1)当发射极电流增加时,发射结时间常数 变得更小,因此式(3-74)中的 增加。这说明,频率特性的改进可以通过增加工作电流来实现。 2)科尔克(Kirk)效应。 3.8晶体管的频率响应 4.截止频率 掌握概念:频率响应、共基极截止频率、共发射极截止频率、特征频率(带宽)、基区渡越时间 < (3-66) (3-64) (3-68) 3.8晶体管的频率响应 教学要求 解释Kirk效应。 导出基区渡越时间公式。 分析关系式 分析公式 3.9混接Π型等效电路 1.混接Π型( H-P模型)又称为复合Π模型 代表工作在共发射极电路中的正向有源模式的晶体管。 图3-23 复合Π式等效电路 1)跨导 (3-75) 它反映了发射结电压对集电极电流的调制。 (3-78) 2)正偏发射结扩散电导: (3-79) 它是正偏发射结电阻(也叫做PN结扩散电阻)的倒数。 3.9混接Π型等效电路 图中各参数的意义如下: 于是 (3-80) (3-81) (3-82) 3)扩散电容: 3.9混接Π型等效电路 略去空间电荷区复合电流 贮存在基区的总电荷为 (3-83) (3-84) 故 4)耗尽层电容 可以证明共发

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