数字电子技术第八章半导体存储器重点.pptVIP

第八章 半导体存储器 8.1 半导体存储器概述 8.2 只读存储器 8.3 随机存取存储器 8.4 存储器的扩展 8.5 存储器VHDL设计举例 1. 了解只读存储器（ROM）电路结构及特点。 2. 了解随机存取存储器（RAM）的电路结构及特点。 3. 掌握存储器存储容量的扩展方法。 4. 掌握用存储器实现组合逻辑函数的方法。 5. 了解ROM和RAM集成芯片的功能。 8.1 半导体存储器概述 8.1.1 半导体存储器的特点 半导体存储器是用半导体器件来存储大量二值信息的集成电路。半导体存储器具有集成度高、容量大、体积小、功耗低、存取速度快、可靠性高、使用寿命长等特点。在数字系统中应用很广泛。 在计算机和其它一些数字系统中，需要对大量数据进行存储，因此，半导体存储器是这些数字系统中不可缺少的组成部分。 8.1.2 半导体存储器的分类 1. 从制造工艺上分为双极型和MOS型。 2. 从存/取功能上可以分为只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。 8.2 只读存储器 只读存储器（ROM）是一种存储固定信息的存储器。其特点是在正常工作状态下只能读取数据，不能即时修改或重新写入数据。只读存储器电路结构简单且存放的数据在断电后不会丢失，特别适用于存储永久性的、不变的程序码数据，如常数表、函数、表格和字符等，计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。只读存储器有掩膜ROM、可编程ROM、可擦除的可编程ROM等几种不同类型。 8.2.1 掩膜只读存储器 掩膜只读存储器，又称固定ROM，这种ROM在制造时，生产厂家利用掩膜技术把信息写入存储器中，使用时用户无法更改。在制作掩膜ROM的过程中，主要是根据用户的要求制作掩膜，掩膜ROM适合大批量定型产品的生产。 掩膜只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。下面主要以二极管掩膜ROM为例介绍ROM的结构和工作原理。 3.1.3 二极管与门 A、B、C是输入端，P是输出端，假定D1、D2、D3是理想二极管，忽略二极管的正向压降。 3.1.4 二极管或门 如果用N沟道增强型MOS管（NMOS）代替图中的二极管，便可以构成NMOS管掩膜ROM，如图8.4所示，图中字线与位线交叉点上接有NMOS管时相当于存储数据1，没有接NMOS管时相当于存储数据0。 8.2.2 可编程只读存储器 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。 8.2.3 可擦除的可编程只读存储器 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 1. 用紫外线擦除的EPROM（UVEPROM） 2. 电可擦除的EPROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 3. 快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管）改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 4. ROM集成芯片简介 常用的EPROM集成芯片有2716（2K×8位）、2732（4K×8位）、2764（8K×8位）等。常用的E2PROM芯片有2816（2K×8位）、2864（8K×8位）、24C08（1K×8位）、16（2K×8位）等，其中24C08和24C16是串行I2C总线的E2PROM。本节以2716~27512系列的EPROM集成芯片为例，介绍集成ROM的特点和使用方法。 2716~27512系列的EPROM集成芯片，除存储容量和编程电压等参数不同外，其它参数基本相同。2716~27512系列芯片的主要技术特性如表8-2所示，其中读出时间视型号而定，一般在100～300ns，表中列出数值的为典型值。 2716具有24个引脚，主要有地址线 A0~A10、数据线Q0~Q7、控制线等，其引脚排列如图8.12所示。 在微型数字系统中，CPU对存储器进行读/写操作，首先由CPU的地址总线给出地址信号，选择要进行读/写操作的存储单元，然后通过控制总线发出相应的控制信号，使存储器工作于相应的工作方式，最后才能在数据总线上进行数据交换。所以，存储器与CPU之间的连接，主要是存储器的地址输入端与CPU的地址总线相连接，存储器的控制信号输入端与CPU的控制总线相连接，存储器的数据输出端与CPU的数据总线相连接。在进行实际操作时，CPU的时序需要和存储器的存取速度相匹配。 8.2.4 用ROM实现组合逻辑函数 ROM除了用作存储器以外，还可以用来实现各种组合逻辑函数。因为ROM的地址译码器是一个与阵列，存储矩阵是可编程或阵列，所以可以用来实现与或形式的组合逻辑函数。把ROM中的n位地址端作为逻辑函数的输入变量，则ROM的地址译码器的输出端将产生输入变量的全部最小项，即实现了