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第五章：光电导探测器 简称PC(Photoconductive)探测器，也称为光敏电阻。 工作要求：为有源器件，工作时需要加适当的偏流或者偏压。 主要类型：本征型、杂质型、薄膜型和扫积型。 5.1 光电导探测器的工作原理及电流分析 一、光生电流的计算 5.2 光电导探测器的噪声及性能参数 * * 材料：n型半导体 VA：外加电压 IP：光生电流 α：光电导材料的吸收系数 R：表面反射率。 τ0：载流子平均寿命。 P：入射的光功率。 入射光沿x方向的变化为： （5.1.1） L P d w x VA 图5.1、光电导探测器模型 如果n(x)表示在x处光生载流子浓度，在外加电场作用下该处的漂移电流密度J(x)为： （5.1.2） 为光生载流子在外加电场作用下的漂移速度 在探测器收集极上光电流平均值为 假如探测器光敏面受均匀照射，电流平均值可以写成 （5.1.4） ：为电子迁移率。 （5.1.3） 光生载流子浓度计算： 在x处单位长度材料上吸收的光功率为 αP(x)： ：在x处单位时间吸收的光子数 :在x方向上单位长度体积内的被吸收的光子数 密度,由于α包含了量子效率在里面，因此也 等于单位时间、单位体积产生的光电子数