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目录
1.课程设计目的与任务……………………………………………4
2.课程设计的基本内容……………………………………………4
2.1 npn双极型晶体管的设计………………………………………4
2.2课程设计的要求与数据…………………………………………4
3.课程设计原理……………………………………………………4
3.1晶体管设计的一般步骤…………………………………………5
3.2晶体管设计的基本原则…………………………………………5
4.晶体管工艺参数设计……………………………………………6
4.1晶体管的纵向结构参数计……………………………………6
4.1.1 集电区杂质浓度的确定………………………………………………6
4.1.2 基区及发射区杂质浓度………………………………………………7
4.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定…………………………………7
4.1.4 各区少子扩散长度的计算……………………………………………8
4.1.5 集电区厚度的选择……………………………………………………9
4.1.6 基区宽度的计算………………………………………………………9
4.1.7扩散结深 ……………………………………………………………12
4.1.8杂质表面浓度 ………………………………………………………13
4.1.9 芯片厚度和质量……………………………………………………13
4.2 晶体管的横向设计……………………………………………13
4 .2 .1 晶体管横向结构参数的选择……………………………………13
4.3 工艺参数计算…………………………………………………14
4.3.1 晶体管工艺概述……………………………………………………14
4.3.2基区硼预扩时间……………………………………………………15
4.3.3基级氧化层厚度……………………………………………………16
4.3.4基区硼再扩散时间计算……………………………………………16
4.3.5发射区预扩散时间…………………………………………………17
4.3.6发射区再扩散的时间………………………………………………17
4.3.7基区氧化时间………………………………………………………18
4.3.8发射级氧化层厚度…………………………………………………18
4.4设计参数总结…………………………………………………19
5.工艺流程图…………………………………………………………20
6.生产工艺流程………………………………………………………21
6.1 硅片清洗………………………………………………………21
6.1.1 清洗原理……………………………………………………………21
6.1.2硅片清洗的一般程序…………………………………………………21
6.2氧化工艺………………………………………………………22
6.2.1 氧化原理……………………………………………………………22
6.2.2基区氧化的工艺步骤………………………………………………23
6.2.3测量氧化层厚度……………………………………………………23
6.3 第一次光刻工艺（光刻基区）………………………………24
6.3.1 光刻原理……………………………………………………………24
6.3.2 工艺步骤……………………………………………………………24
6.4 基区硼扩散工艺………………………………………………26
6.4.1 硼扩散原理…………………………………………………………26
6.4.2 硼扩散工艺步骤……………………………………………………26
6.5发射区氧化的工艺步骤………………………………………26
6.6第二次光刻工艺（光刻发射区）……………………………27
6.7发射区磷的扩散 ………………………………………………27
6.7.1 磷扩散原理…………………………………………………………27
6.7.2 磷扩散工艺步骤……………………………………………………28
6.8引线孔氧化的工艺步骤………………………………………29
6.9 第三次光刻（光刻引线孔）…………………………………30
6.10引线孔金属化…………………………………………………31
6.10.1集成电路对金属化材料特性的要求………………………………31
6.10.2金属化步骤…………………………………………………………31
6.11光刻金属电极…………………………………………………32
7. 心得体会………………………………………………………32
8. 参考文献………………………………………………………33
微电
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