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* 第五章化合物半导体器件 微电子教学部 冯世娟 3506 5.1 pn结 注入比 当pn结加正向电压时，n区向p区注入的电子电流与p区向n区注入的空穴电流之比。 对于同质结， 所以决定同质结注入比的是掺杂浓度，要得到高注入比pn结的 一边应高掺杂。所以一般作为发射极的材料都是重掺杂。 5.1 pn结 注入比 对于异质结， 禁带宽度是决定异质结注入比的关键因素。对于p-GaAs/n-Al0.3Ga0.7As异质结，其注入比大约为7.4×105。 在晶体管、半导体激光器中，注入比是一个很重要的物理量，它决定了晶体管的放大倍数、激光器的阈值电流和注入效率等。这是因为在总电流中，只有注入到基区（或作用区）中的少子才对器件有作用。而在异质结中可以用宽带材料做效率很高的发射极，这是异质结器件的一个重要优点。 5.1 pn结 注入比 对于突变异质结， 对于缓变异质结， 因此为了得到有利的注入比，可选择适合的长度和渐变方式，从而使能带图趋于平滑。 一般来说，异质结晶体管的发射结都是采用缓变的。 MESFET是金属-半导体-场效应晶体管的缩写。实用场效应晶体管的JFET形式于1953年实现，而MOSFET形式则于1960年实现。 由于硅材料的独特的、接近理想的天然氧化物性质，所以MOSFET只使用硅材料。 MESFET更适合用化合物半导体制备，GaAs已成为制作这种器件的主流材料。与JFET相比，它在制作工艺方面具有优势。 目前，MESFET是高速和微波电路的主导器件。 5.3.2 GaAs MESFET 5.3.2 GaAs MESFET 与硅基MOSFET器件性能相比，GaAs MESFET器件的性能有了很显著的提高，这主要是材料的特性所造成的。 GaAs的导带电子的迁移率是是Si的6倍，峰值迁移速率是Si的2倍； 器件的有源层是生长在半绝缘的GaAs衬底上的，GaAs的电阻率高达107Ω·cm。而与此相对比，本征Si的典型电阻率为30Ω·cm。 GaAs的少子寿命短 。 低的寄生电阻，较大的跨导，以及较短的电子渡越时间 低的寄生电容 很好的抗辐照能力 MESFET是一种由Schottky势垒栅极构成的场效应晶体管。它与p-n结型栅场效应晶体管相比，只是用金属-半导体接触势垒代替了p-n结栅。 MESFET的工作原理与JFET基本相同, 但是有两点差异: 在长沟道(0.5~2μm) GaAs-MESFET中, 速度饱和模型能较好地描述I-V特性(虽然饱和机理是由于谷间跃迁而引起的速度饱和，但与Si和SiC等的MESFET相同，都将产生偶极畴并使电流饱和)； 对于栅长0.5μm的短沟道GaAs-MESFET, 由于GaAs中电子的能量弛豫时间动量弛豫时间，则电子的输运将是瞬态的，有明显的速度过冲效应(对短沟道Si器件, 无明显的速度过冲)。 5.3.2 GaAs MESFET 5.4.4 HEMT 调制掺杂场效应晶体管（MODFET）又称为高电子迁移率晶体管（HEMT）、二维电子气场效应晶体管（TEGFET）。 MODFET的独特性在于异质结构，在该结构中对宽能隙材料进行掺杂，载流子扩散到未掺杂的窄能隙材料中，并在此形成沟道，沟道中电子在垂直方向上的动量是量子化的（即二维电子气） 。 这种调制掺杂的实际结果是，未掺杂异质界面上的载流子在空间上与掺杂区隔离，且由于不存在杂质散射而具有极高的迁移率。 5.4.4 HEMT 1 HEMT器件结构 AlGaAs/GaAs HEMT的截面结构与能带结构 5.4.4 HEMT n+GaAs覆盖层有利于形成器件的低电阻欧姆接触。 n+AlGaAs层为沟道提供电子，而i-AlGaAs隔离层可在空间上将电子积累层与施主原子分开而达到提高沟道载流子迁移率的作用。 Al含量决定了在AlGaAs/GaAs界面处导带不连续性的大小，而这一能带的不连续性又会去控制GaAs沟道中电子积累层中电子的浓度。Al含量越高，沟道电子浓度越高。20-30% 的Al含量范围兼顾了沟道电子浓度和迁移率。 由于AlGaAs的禁带宽度比GaAs大，从而在n+AlGaAs施主层中的电子很自然的积累在AlGaAs/GaAs界面处，使得i-GaAs沟道中形成高迁移率沟道。从能量上来看，这些电子也倾向于留在GaAs沟道层中。 5.4.4 HEMT 值得注意的是，由电子积累层在未掺杂GaAs沟道中所形成的电场强度非常强，达到了107V/m量级，因此，该电场就将电子限制在一个非常窄的近似三角形的凹槽中，离界面处的距离为15-20nm。 这一尺寸与电子的波长相当，就会导致在与界面垂直的方向上出现电子动量的量子化，于是电子就只能在二维空间中运动。 正是因为这个原因，电子积累层通常被称为二维电子气（2