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项目1 直流稳压电源的制作 直流稳压电源的基本任务是将电力网交流电压变换为电子设备所需要的稳定的直流电源电压。 任务一 半导体器件的识别与检测 任务目标: 1.了解半导体的基础知识;讨论晶体二极管的特性、参数和简单应用电路; 2.学习二极管、三极管使用常识和万用表检测方法 任务教学方式: 教学建议:半导体基础知识的学习中,应结合多媒体课件演示二极管、三极管内部结构、PN结形成机理和两者特性 评估检测 :教师与学生共同完成任务的检测与评估,并能对出现的问题进行分析与处理 任务一 半导体器件的识别与检测 1.本征半导体。纯净的单晶半导体称为本征半导体。 2. 杂质半导体。掺入杂质的半导体称为杂质半导体。 (1)N型半导体。多数载流子是电子。 (2)P型半导体。多数载流子是空穴。 3.PN结 (1)PN结的形成 (2)PN结的单向导电特性 1)PN结加正向电压 2)PN结加反向电压 任务一 半导体器件的识别与检测 1.晶体二极管。二极管的核心是PN结。 通常按用途分为:整流二极管、开关二极管、检波二极管、变容二极管、稳压二极管、阻尼二极管、发光二极管、光电二极管等。 按结构又分为面接触和点接触二极管。 按工作原理分为隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等。 二极管的伏安特性 做一做:晶体二极管的识别与检测 2.三极管及其组成的基本放大电路 (1)晶体管放大偏置及电流分配关系 放大的外部电压条件(放大偏置):发射结正偏、集电结反偏。 NPN管电流分配示意图 例1.1已知某晶体管处于放大状态,试判别各管脚对应的电极、管类型及管材料。 (2)晶体管伏安特性曲线 2)饱和区。发射结和集电结均处于正偏的区域为饱和区。 3)截止区。发射结和集电结均为反偏,且iB≤-ICBO(对于大功率管,由于ICBO很大,不能忽略其影响)的区域为截止区。 做一做:晶体三极管的识别与检测 任务二 整流滤波电路的应用 任务目标: 1.掌握单相半波整流电路、单相全波整流电路、桥式全波整流电路、电容滤波电路、电感滤波电路的结构,能对原理进行简单的分析。 2.了解倍压整流原理和应用电路。 任务教学方式: 教学建议:采用仿真技术,对各类整流滤波电路仿真过程进行投影,通过仿真结果,重点比较它们之间的结构和特点,并进行总结 任务二 整流滤波电路的应用 知识1 整流电路之一——单相半波整流 电路 电压极性如图(a)所示,在变压器次级电压u2为正半周(a→b)时,整流二极管D正向偏置而导通,电流经二极管流向负载RL。而在次级电压u2为负半周时,二极管D反向偏置而截止,电流基本上等于零。所以,在负载电阻RL两端得到的电压极性是单向的,因为这种电路只有在交流电压半个周期内才有电流流过负载,即负载上得到一个单向的半波脉动电流,故称半波整流电路。 例1.2 已知某单相半波整流电路的负载RL=25Ω,若要求输出电压UL=110V,应选何种型号的整流二极管? 解:由式UL=0.45U2可得: U2=UL/0.45=110/0.45≈244.4V Iv=UL/RL=110/25=4.4A Uvfm= U2= ×244.4≈345.6V 根据以上数据,查二极管工作手册,可选择最大整流电流为5A,最高反向工作电压为400V的整流二极管2CZ57F。 知识2 整流电路之二——单相全波整流 电路 当u2为正半周(即极性为上正下负)时,D1正向偏置而导通、D2承受反向偏压而截止,有电流IL流过负载RL,在负载上得到的输出电压极性为上正下负;当u2为负半周时,此时D1截止、D2导通,电流IL流过负载RL时产生的电压极性与正半周相同,因此在负载上得到一个单向的脉动电压。 知识3 整流电路之三——单相桥式整流 电路 知识4 滤波电路之一——电容滤波电路 知识4 滤波电路之一——电容滤波电路 (1)加入电容滤波之后,输出电压的直流成份提高了,脉动成分降低了。 对半波整流来说,负载电压近似为 UL≈U2; 对桥式全波整流来说,负载电压近似为 UL≈1.2U2。 (2)若电容放电时间常数越大,放电过程越慢,则输出电压越高,同时脉动成分也越少,即滤波效果越好。所以滤波电容的容量应较大,且要求负载RL也大,因此,电容滤波适用于负载电流较小,且负载电流变化不大的场合。 电解电容与负载并联时,注意极性不能接反。为安全起见,电解电容耐压值应大于 U2。 实际电路中,选择滤波电容时,RL×C≥ ,式中T为电网交流电压的周期。 (3)电容滤波电路中整流管的导通
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