第一章半导体中的电子状态重点.pptVIP

半导体能带极值附近E(k)的分布 k E 1. k 空间的等能面 b. 极值点k0=k0 (kx0,ky0,kz0) (1) 一般情况: 三维晶体. k=k(kx,ky,kz) c. 各向异性晶体 m*=m*(m*x,m*y,m*z). E=E(kx,ky,kz) 其中： 极值点k0附近电子能量E: (泰勒级数展开) 移项后： ● ko kx ky kz 椭球等能面 (2) 极值点k0正好在某一坐标轴上 设k0在Z轴上, 以Z轴为旋转轴 ● ko kx ky kz 旋转椭球曲面 mt为横向有效质量, ml为纵向有效质量 若 mlmt, 为长旋转椭球 mtml, 为扁形旋转椭球 (3) 极值点k0在原点 能量E在波矢空间的分布为球形曲面 ● ko kx ky kz E(k)等能面的球半径为: 将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中,电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率ωc与有效质量的关系为: 2. 回旋共振-有效质量测量 对于球形等能面： α、β、γ分别是kx、ky、kz相对于B的方向余弦 对于非球形等能面： 3. Si.Ge.GaAs半导体的能带结构 元素半导体Si、Ge结构 金刚石结构 Ge: a=5.65754? Si: a=5.43089? 硅的能带结构 导带 价带 [100] [111] Γ L X Eg 1.元素半导体Si 间接带隙 重空穴 轻空穴 硅导带等能面示