CCD光电测量实验讲述.docVIP

重 庆 大 学 学 生 实 验 报 告 实验课程名称 电子信息综合实验 开课实验室 重庆大学物理实验教学中心 学 院 物理 年级 2012 专业班 电子信息01 组内成员姓名 张益达 组 长 张益达 设 计 日 期：2015年10月20日起2015年12月8日止 开 课 时 间 2015 至 2016 学年第 1 学期 总 成 绩 教师签名 物理学院 学院制 目录 一、实验目的 1 二、实验原理： 1 1. CCD的原理、种类、特点、发展、应用 1 1.1 CCD简介 1 1.2 CCD 工作原理 1 1.3 CCD 的种类 6 1.4 CCD 的发展 7 1.5 CCD 的主要应用 9 1.6 TCD1206UD 的工作原理 10 2. FPGA的特点、应用、设计流程 12 2.1 FPGA 简介 12 2.2 FPGA 的主要应用 12 2.3 FPGA 的设计流程 13 三、 设计要求 14 1.电路设计 14 2.CCD驱动信号 14 四、 实现过程 15 1.设计方案： 15 1.1电源部分设计 15 1.2 CCD 驱动电路的设计 16 2.设计过程 16 2.1电源部分 16 2.2 CCD驱动电路部分设计 17 2.3 整体电路设计 18 2.4 PCB板的制作 18 2.5印制电路的焊接 19 3.测试：调试中出现的问题和解决方法 19 3.1调试过程 19 3.2 测试结果 21 3.3 实验设计修正 23 五、结果和分析 24 1.实验收获 24 2.设计的建议 24 参考文献 26 组内成员评分 27 CCD光电测量综合设计 一、实验目的 本次电子信息综合实验的目的，是完成一个CCD光电测量系统。CCD（Charge Coupled Devices）是20世纪70年代发展起来的新型半导体器件。CCD器件是一种新型光电转换器件，它以电荷作为信号，其基本功能是电荷信号的产生、存储、传输与检测。它主要由光敏单元、输入结构和输出结果等组成。本次实验使用的的TCD1206UD二相线阵CCD。实验设计的最终目的是搭建一个完整的CCD光电测量系统，可以实现CCD器件对光影关系的感应，并在示波器上显示其输入输出波形。完成TCD1206 CCD器件驱动电路的设计，学会用Altium Designer实现简单的工程，理解FPGA特点、应用和设计流程，CCD光电测量系统的最终实现。 二、实验原理： CCD的原理、种类、特点、发展、应用 1.1 CCD简介 CCD，英文全称：Charge-coupled Device，中文全称：电荷耦合元件。可以称为CCD图像传感器,也叫图像控制器。CCD是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号。 CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。一块CCD上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。CCD的作用就像胶片一样，但它是把光信号转换成电荷信号。CCD上有许多排列整齐的光电二极管，能感应光线，并将光信号转变成电信号，经外部采样放大及模数转换电路转换成数字图像信号。 .2 CCD 工作原理 1.2.1 电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS（金属—氧化物—半导体）电容器，如图2.1所示。正像其他电容器一样，MOS电容器能够存储电荷。如果MOS结构中的半导体是P型，当在金属电极（称为栅）上加一个正的阶梯电压时（衬底接地），Si-SiO2界面处的电势（称为表面势或界面势）发生相应变化，附近的P型硅中多数载流子—空穴被排斥，形成所谓耗尽层，如果栅电压VG超过MOS晶体管的开启电压，则在Si-SiO2界面处形成深度耗尽状态，由于电子在那里的势能较低，我们可以形象地说，半导体表面形成了电子的势阱，可以用来存储电子。当半导体表 图1.1 电荷存储 电荷耦合器件工作原理较为简单，属于转移电极结构，是三相转移电极结构，其原理如图2.3所示。如果在三相转移电极Φ1、Φ2和Φ3上加如图2.2所示的三相脉冲电压后，当Φ1为高电平（t 1）时，由外界注入的信号电荷ΦS被存储于Φ1t2时刻，Φ1变为低电平、Φ2变为高电平后，ΦS被转2电极下表面势阱中，如图2.3所示的电荷转移过程。依次类推，信号电荷逐极转移，最后达到输出端。 2.2 三相脉冲驱动电压2.3电荷的转移过程 MOS结构）电极下半导体表面电子势阱的深度与氧化层厚度和半导体所掺杂的浓度有关，氧化层厚度越大，势阱越浅；半导体中所掺杂质浓度越