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第三章半导体中载流子的统计分布 （复习） 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.6简并半导体的载流子浓度 第三章半导体中载流子的统计分布 （复习） 载流子的产生： 电子从价带跃迁到导带 本征激发 导带中 电子从施主能级跃迁到导带 杂质电离 电子 电子从价带跃迁到导带 本征激发 价带中 电子从价带跃迁到受主能级 杂质电离 的空穴 在一定的温度下，产生和复合达到热平衡，半导体就有恒定的电子、空穴浓度n，p 温度改变时，建立新的热平衡，就有新的电子、空穴浓度n，p。 3.1状态密度 在三维的K空间中，每一个k取值所占有的体积为(2π/Lx )* (2π/Ly )* (2π/Lz )=8π3/V 其中，V为晶体的体积。 由于每个k值可容纳自旋方向相反的两个电子，每容纳一个电子须要的k空间的体积为 4π3/V 3.1状态密度 3.1状态密度 总结 1. 三维K空间，每个K值（状态数）对应的体积： 考虑自旋变为： 2. K与K+dK之间球壳的体积： 3. K与K+dK之间球壳所拥有的状态数： 3.2费米能级和载流子的统计分布 一、电子的费米分布函数 f（E） 二、玻尔兹曼分布函数 三、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 四、载流子浓度的乘积 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 费米能级的意义： （1）它标志在T=0K时电 子占据和未占据的状态的分界线。即比费米能级高的量子态，都没有被电子占据，比费 米能级低的量子态都被电子完全占据。 （2）处于热平衡状态的系统有统一的费米能级。 （3）费米能级与温度、半导体材料的导电类型、杂质的含 量有关 练习 课本第三章习题4 二、波尔兹曼分布函数 当E-EFk0T时， 由于 所以 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 空穴分布函数： 价带顶空穴占据几率大 价带底空穴占据几率～0 当EF-E K0T 时，上式分母中的1可以略去，则 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.2 费米能级和载流子的统计分布 三、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 知道f(E),g(E)之后，就可以计算载流子浓度n和p 先讨论导带的电子浓度，然后用类似的方法可计算价带内空穴的浓度 （1）导带中的电子浓度 （1）导带中的电子浓度 （2）价带中的空穴浓度 结论 3.2 费米能级和载流子的统计分布 1. 电子与空穴的浓度的乘积与费米能级无关 2. T和Eg一定，处于热平衡态时， n0p0保持恒定，n0减少， p0增加；反之n0增加， p0 减少 3. 对本征半导体和杂质半导体都成立 4. 在一定温度下，不同半导体材料，禁带宽 度Eg不同，乘积n0p0也不同。 3.3 本征 半导体的载流子浓度 1. 本征半导体的载流子浓度 2. 本征半导体的费米能级 练习 T=300K时，计算硅中的费米能级位于导带能级Ec下方0.22eV处时的热平衡电子和空穴浓度。 Nc和Nv参考表3-2, Eg=1.12eV 二、本征半导体的费米能级 3.3 本征 半导体的载流子浓度 实际应用的半导体—掺杂的非本征半导体，由于杂质的存在，载流子的来源为本征激发和杂质电离提供。 n0=施主杂质电离提供的电子＋价带跃迁到导带的电子 p0=受主杂质电离提供的空穴＋价带跃迁到价带的空穴 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 n型半导体中存在着带负电的导电电子（浓度为n0）,带正电的价带空穴（浓度为p0）和离化的施主杂质（浓度为nD+）， 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 P型半导体 3.4 杂质半导体的载流子浓度 练习 已知锗的掺杂浓度为NA=1015cm-3,ND=0,分别计算在T=200K，400K，600K时的费米能级相对于本征费米能级的位置 3.4 杂质半导体的载流子浓度 杂质的离化率（估算室温下每种杂质电