第六章导体和介质精编.pptVIP

避雷针的作用 6.1.3 空腔导体 带电金属网中小鸟 §6.3 电容和电容器 6-3-2 电容器 6-3-3 电容器的联接 §6.4 静电场的能量 6-4-2 电容器的能量 电极化强度矢量与极化电荷的关系： ? 设在均匀电介质中截取一斜柱体。体积为?V。 ?? ?? + - 结论： 均匀电介质表面产生的极化电荷面密度等于该处电极化强度沿表面外法线方向的投影。 - - - + + + + + + + + + - - - - - - 0 x 极化电荷带正电 极化电荷带负电 6-2-3 有介质时的高斯定理 真空中的高斯定理： 介质中的高斯定理： 以导体平板为例： +q -q + + + + + + - - - - - - - - - - - - + + + + + + qi′ E P 移出S面 留在S面内 定义电位移矢量： 介质中的高斯定理：在任何静电场中，通过任意闭合曲面的电位移通量等于该曲面所包围的自由电荷的代数和。 介质中的高斯定理虽说是从平板电容器这一特例推导出，但它却有普适性。 介质中的高斯定理包含了真空中的高斯定理。 说明： 电位移矢量 是一个辅助量。描写电场的基本物理量是电场强度 。 真空中： 所以： 对于各向同性的电介质： ?r 称为：相对介电常量 或 ? 称为：介电常量 注意： 是定义式，普遍成立。 只适用于各向同性的均匀介质。 真空中： 介质中： 介质中的场强 E 比真空中的场强 E0小。 有电介质时静电场的高斯定理的应用 计算电介质中场强的步骤： 1、根据介质中的高斯定理计算出电位移矢量。 2、根据电场强度与电位移矢量的关系计算场强。 例4、自由电荷面密度为?0的平行板电容器，其极化电荷面密度为多少？ +?0 - ?0 -?′ +?′ 解： D 由介质中的高斯定理 6-3-1 孤立导体的电容 5毫升 0 5毫升 导体具有储存电荷的本领 电容：孤立导体所带电量q与其电势V 的比值。 法拉（F= C·V-1 ） 孤立导体球 孤立导体球的电容为： 电势： 孤立导体的电容仅取决于导体的几何形状和大小，与导体是否带电无关。 地球的电容： 电容器： 一种储存电能的元件。由电介质隔开的两块任意形状导体组合而成。两导体称为电容器的极板。 电容器的符号： 电容器电容：极板电量q与极板间电势差VAB之比值。 讨论： 1、电容量与电容的带电量、电容器两极的电势 差无关 2、电容量与组成电容器导体的尺寸、形状有关 3、物理意义：导体每升高单位电势所需的电量 Q2 Q1 1V 1V 电容器的计算 1、平板电容器 d + + + + + - - - - - B A -q +q E S 电容： ：相对电容率 2. 球形电容器 RA RB 当 （孤立导体球的电容） 当 RA RB 3. 圆柱形电容器 由高斯定理计算得： l r 圆柱形电容器电容： 设极板间距为d， RB = RA +d 当d RA时 （ ） 计算电容器电容的步骤： 2、计算极板间的场强E（一般用高斯定理） 3、计算极板间的电势差 4、由电容器电容定义计算C 1、设电容器两极分别带电为 5、分析结果。C只与电容的本身性质有关，与带电性质无关 1.电容器的串联 C1 C2 Cn VAB 设各电荷带电量为q 串联电容器的等效电容的倒数等于各电容的倒数之和。 结论： … 等效电容： 2. 电容器的并联 C1 C2 C3 VAB 总电量 ： 等效电容： 并联电容器的等效电容等于个电容器电容之和。 结论： … d1 d2 例5.一平行板电容器，中间有两层厚度分别为d1和d2的电介质，它们的相对介电常数分别为?r1和?r2，极板面积为S。求电容。 解： 例6.一平行板电容器充以两种不同的介质，每种介质各占一半体积。求其电容量。 解： 例7. 球形电容器由半径为R1的导体球和内半径为R3的导体球壳构成，其间有两层均匀电介质，分界面的半径为R2，相对介电常数分别为?r1和?r2 。求：电容。 R1 R2 R3 ?r1 ?r2 解： r ?r1 ?r2 例8. 内半径为R1，外半径为R2的圆柱形电容器（ R2 2 R1 )，中间充以两种不同介质，相对介电常数分别为?r1和?r2 = ? r1/2，分界面半径为r。两介质的击穿电场强度都是EM 。问：当电压升高时，哪层介质先被击穿？最大电压为多少？ r R1 R2 解： 即外层介质最先达到击穿电场强度 EM ，所以最先被击穿。 所以： E1 E2 R2 2 R1 r ?r1 ?r2 r R1 R2 6-4-1 点电荷系的电能 a b 功： 静电能： 两个点电荷的相互作用能： 或 点