1常用半导体器件研究.ppt

第一章 常用半导体器件;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;1.1.2 本征半导体;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;1.1.3 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;§1.2 PN结及半导体二极管;P型半导体;漂移运动;－;1、空间电荷区中没有载流子。;2.1.2 PN结的单向导电性;－;二、PN 结反向偏置; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;三、PN结的电容效应; (1) 势垒电容CB; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因 PN 结正偏时，由N区扩散到 P 区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。; 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不相同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。;2.1.3 半导体二极管; 二极管按结构分有点接触型、面接触型二大类。;二、伏安特性;(1) 正向特性;反向区也分两个区域：;三、主要参数;3. 反向电流 IR;4. 微变电阻 rD;5. 二极管的极间电容;CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。;二极管基本电路分析;3. 折线模型（实际模型）;§1.3 特殊二极管;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;1.3.2 光电二极管;1.3.3 发光二极管;§1.4 半导体三极管;B;B;三极管实现电流放大时的外部条件;1.4.2 电流放大原理;B;IB=IBN+IEP-ICBO=IB’ -ICBO;ICN与IB’之比称为电流放大倍数;B;1.4.3 特性曲线;一、输入特性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );???： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;三、主要参数;2.集-基极反向截止电流ICBO;B;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;§1.5 场效应晶体管;N;N;P;二、工作原理（以P沟道为例）;P;P;P;P;;;予夹断曲线;UGS;输出特性曲线;N沟道结型场效应管的特性曲线;1.5.2 绝缘栅场效应管:;N 沟道耗尽型;N;P 沟道耗尽型;二、MOS管的工作原理;P;UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。;P;P;输出特性曲线;转移特性曲线;输出特性曲线;转移特性曲线