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等离子体刻蚀;目录;什么是等离子体?;等离子体的应用;等离子体的产生;等离子体刻蚀原理;等离子体刻蚀反应;首先,母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。
其次,这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,并在表面上发生化学反应。
生产过程中,CF4中掺入O2,这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。;等离子体刻蚀工艺;工艺参数设置;边缘刻蚀控制;刻蚀工艺不当的影响; 在等离子体刻蚀工艺中,关键的工艺参数是射频功率和刻蚀时间。
刻蚀不足:电池的并联电阻会下降。
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能变差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
;刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到??定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
;检验方法;检验原理;检验操作及判断
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