离子注入一预案.pptVIP

第四章 离子注入;两步扩散;定义： 离子被强电场加速后注入靶中，离子受靶原子阻止而停留其中，经退火后成为具有电活性的杂质的一个非平衡的物理过程。;注入元素纯度高，能量单一；污染小； 可精确控制掺杂原子数目，平面上杂质掺杂分布非常均匀（±1% 以内）； 衬底保持在低温，可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质，避免了高温过程引起的热缺陷； 可通过精确控制掺杂剂量和能量来达到各种杂质浓度分布与掺杂深度； 表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度或深结高浓度； 离子注入直进性，横向效应小，有利于芯片尺寸缩小； 硅表面的薄膜起到保护膜作用，防止污染； 适合化合物掺杂。;离子注入的缺点： 入射离子对衬底有损伤，必须退火； 很浅和很深的结难于制得； 高剂量注入产率受限制； 设备昂贵； 不安全因素，如高压、有毒气体;相对于扩散，它能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。 在特征尺寸日益减小的今日，离子注入已经成为一种主流技术。 离子注入已成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。;离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。;注入离子如何在体内静止？; 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论; 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论;-dE/dx：能量随距离损失的平均速率 E：注入离子在其运动路程上任一点x处的能量 Sn(E)：核阻止本领/截面 (eVcm2) Se(E)：电子阻止本领/截面（eVcm2) N: 靶原子密度 ～5?1022 cm-3 for Si; 低能量时，核阻止本领随能量的增加而线性增加，Sn(E)会在某一中等能量时达到最大值。 高能量时，由于高速粒子没有足够的时间和靶原子进行有效的能量交换，所以Sn(E)变小。;电子阻止本领; 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论;R：射程，离子在靶内的总路线长度 Rp：投影射程，R在入射方向上的投影;对于无定形靶（SiO2、Si3N4、光刻胶等），注入离子的纵向分布可用高斯函数表示： 其中： ;*/35;投影射程Rp:;注入离子的浓度分布;注入离子在垂直于入射方向平面内的分布情况 横向渗透远小于热扩散 ;4.2 注入离子在靶中的分布;常用注入离子在不同注入能量下的特性;4.2 注入离子在靶中的分布;4.2 注入离子在靶中的分布;定义：当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动。沟道离子唯一的能量损失机制是电子阻止，因此注入离子的能量损失率就很低，故注入深度较大。 离子方向=沟道方向时………离子因为没有碰到晶格而长驱直入……… 效果：在不应该存在杂质的深度发现杂质——多出了一个峰！;4.2 注入离子在靶中的分布;4.2 注入离子在靶中的分布;怎么解决？？？;浓度分布 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴”;表面非晶层对于沟道效应的作用;注入离子的真实分布;4.3 注入损伤;4.3 注入损伤;4.3 注入损伤;4.3 注入损伤;4.3 注入损伤;4.3 注入损伤;4.3 注入损伤;4.3 注入损伤;第二章 氧化-作业;SiO2生长快慢将由氧化剂在SiO2中的扩散速度以及与Si反应速度中较慢的一个因素所决定： 氧化时间长(Thick oxide)，即tτ和t A2/4B时，则SiO2的厚度和时间的关系简化为： 抛物型规律，扩散控制;氧化时间短(thin oxide)，???（t +τ） A2/4B时，则SiO2的厚度和时间的关系简化为 线性规律，反应控制