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图形化衬底(PSS)刻蚀设备工艺研究进展 　时间：2012-02-28　 【字体： HYPERLINK javascript:fontZoom(16) 大? HYPERLINK javascript:fontZoom(14) 中? HYPERLINK javascript:fontZoom(12) 小】 ??? 蓝宝石晶片目前广泛用作III-V族 HYPERLINK / LED器件氮化物外延薄膜的衬底，然而由于氮化物和蓝宝石大的晶格失配和热膨胀系数的差别，使得在衬底上生长的氮化物材料位错和缺陷密度较大，影响了器件的发光效率和寿命。图形化衬底(PSS)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。本文采用由北方微电子公司开发的 HYPERLINK /EL.htm ELEDE?330高密度等离子体ICP刻蚀机对PSS刻蚀工艺进行了研究，通过对刻蚀速率、选择比以及不同图形的刻蚀分析，取得了比较满意的工艺结果。 　　一、简介 　　PSS(Patterned Sapphire Substrate)，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。一方面可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命;另一方面有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使PSS上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长。 　　随着LED领域工艺技术的发展，以及整个LED行业的迅速壮大，对GaN基LED器件PSS衬底的研究也逐渐增多。如今各厂家纷纷采用PSS技术，以提高LED器件的光提取效率。PSS的图形种类也较多，目前使用比较普遍的一种形貌类似圆锥形的图形，图形周期约为3μm，高度约为1.5μm。本文主要针对这种图形做了一些刻蚀工艺研究，并根据刻蚀研究结果进行趋势性分析，同时也得到了一些其他图形的刻蚀结果。 　　二、刻蚀设备及机理 　　图1是PSS刻蚀研究使用ELEDE?330高密度等离子体ICP刻蚀系统示意图，它可进行蓝宝石衬底图形化刻蚀、Si衬底刻蚀以及GaN基外延层刻蚀等LED领域所有刻蚀应用。有优秀的刻蚀均匀性控制，保证大批量生产时的片间均匀性和工艺重复性，一次可完成27片2英寸GaN基外延层刻蚀或22片2英寸蓝宝石衬底刻蚀。系统集成了高密度等离子体源、高寿命机械卡盘、精密的腔室温度控制系统、稳定的高精度压力控制系统、IC标准的中央喷嘴进气系统及IC级别的腔室表面处理等多项先进技术，用IC刻蚀工艺更为精密的设计要求来实现LED领域更高性能的刻蚀工艺，以更大程度地提高 HYPERLINK /Waferchip.htm LED芯片的发光效率。 　　该刻蚀机由工艺腔、传输腔、气体控制盒、射频系统、真空系统、温控系统以及装载模块(选配)等部分组成。其中上下电极采用13.56MHz、1500W射频功率，托盘尺寸为330mm，PSS刻蚀使用Al托盘，上面覆盖石英盖板，可装载22片2英寸蓝宝石衬底片。LED刻蚀深度较深，刻蚀速率较慢，刻蚀时间较长(10~30min)，考虑到PR的挥发、刻蚀均匀性以及刻蚀过程中等离子体轰击产生的热量去除，对下电极散热能力要求较高，工艺中基座温度一般设置为-10~-20℃。LED刻蚀副产物的沸点较高，很难被去除，所以LED刻蚀设备的腔室及内衬需要加热，以减少刻蚀副产物的沉积。 　　图1 ELEDE?330高密度等离子体ICP刻蚀系统示意图 　　由于蓝宝石(Al2O3)的Al-O键键能较大，所以该化合物很难被刻蚀。因此物理轰击起至关重要的作用，并直接影响刻蚀速率。另外由于Ga、Al氟化物的沸点较高，所以一般采用Cl进行LED刻蚀。PSS刻蚀中采用的主刻蚀气体为BCl3，BCl3分解后产生的Cl可以和Al2O3发生化学反应，并且BClx对Al-O键的轰击作用也比较强，其刻蚀机理如下式所述： 　　BCl3 → BClx + Cl (x=0,1,2) 　　Al2O3 + BCl3 → Al + BOCly + Cl (y=1,2,3) 　　Al2O3 + BClx → Al + BOClz + Cl (z=1,2,3) 　　Cl + Al → AlCl3 　　三、PSS刻蚀工艺 　　根据ELEDE?330高密度等离子体ICP刻蚀系统的特点，PSS刻蚀工艺主要对以下