晶体薄膜样品答案.ppt

第十一章 晶体薄膜衍衬成像分;11.1 TEM像衬形成原理;假设薄晶样品由两颗粒A、B组成;而A晶粒与入射束不符合布喇格方;明场成像 ;若将未发生衍射的A晶粒的像强度;若将一个足够小的光阑插到物镜背;若仍以A晶粒的像强度为背景强度;第十一章 晶体薄膜衍衬成像分;当一束平行电子波进入晶体试样时;消光距离Vc-晶胞体积，Fg-;ξ g = πV ccosθ/;11.3 理想晶体的衍射强度;这个结果说明，理想晶体的衍射强;下面讨论此式的物理意义. ;将I g 随晶体厚度t的变化画;等厚条纹形成原理第十一章 晶;晶界和相界的衬度 等厚条纹衬度;这是因为此类界面两侧的晶体由于;2. 等倾消光条纹等倾条纹形成;现在我们讨论衍射强度I g 随;衍射强度Ig随偏离矢量s的变化;等倾消光条纹等厚消光条纹则不随;位错衬度第十一章 晶体薄膜衍;位错衬度第十一章 晶体薄膜衍;第二相粒子衬度这里指的第二相粒;11.4.晶体???膜制备法 ;薄膜样品制备方法要求：（1）不;薄膜样品的制备比支持膜法和复型;先将样品预先减薄，一般需经历以;线切割示意图第十一章 晶体薄;机械与减薄示意图第十一章 晶;薄膜样品制备有许多方法，如沉淀;2) 电解抛光法 ;每次转动90o的多次抛光第十一;3) 喷射电解抛光 ;某些材料预减薄用的化学抛光液第;第十一章 晶体薄膜衍衬成像分;双喷电解抛光示意图第十一章 ;博尔曼减薄法第十一章 晶体薄;4) 离子轰击法 ;第十一章 晶体薄膜衍衬成像分;2. 陶瓷薄膜试样（离子减薄）;3. 超薄切片法 高;用此法制备聚合物试样时的缺点是;超薄切片法也适用于粉体样品的制;下图是分散聚四氟乙烯粉粒结构的;分散聚四氟乙烯粉粒的超薄切片像;首先将ZnS/Fe3O4 粉末;第十一章 晶体薄膜衍衬成像分;4. 染色和刻蚀 大多;所谓染色 用一种含重金属的;第十一章 晶体薄膜衍衬成像分;染色 是通过把重金属引入到;常用的蚀刻方法有化学试剂蚀刻和;蚀刻条件要选得适当，以免引入新;第十一章 晶体薄膜衍衬成像分;离子蚀刻 是利用半晶聚合物中;蚀刻较厚和较大的样品时，这种样;第十一章 晶体薄膜衍衬成像分