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模拟电子技术基础第5章资料
第5章 ;场效应管的分类；
金属－氧化物－半导体场效应管（MOSFET）的结构、工作原理、输出特性曲线和转移特性曲线，以及各参数；
场效应管放大电路的结构及分析方法；
场效应管的特点（主要与BJT相比较而言）;第5章 场效应管放大电路;功耗低
集成度高（单位面积上容纳的门电路数量远大于双极型三极管）
输入阻抗大（107～1012?）
热稳定性好（与环境温度关系不大）
抗干扰能力强;FET的分类：;5.1 金属－氧化物－半导体场效应管;;工作原理;当vGS＞0V时→认为金属极板（铝）与P型衬底间构成一个平板电容; 现假设vDS=0V，在s、g间加一电压vGS＞0V;刚刚产生沟道所需的栅源电压vGS，用VT表示 。
vGS越大，反型层越宽，导电沟道电阻越小。;② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用;② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用;② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用;② 漏源电压vDS对漏极电流id的控制作用;总结N沟道增强型MOSFET的工作原理：;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;3. V-I 特性曲线及大信号特性方程;二. N沟道耗尽型MOSFET;当vGS=0时，就有沟道，加入vDS，就有iD。
当vGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。
当vGS＜0时，沟道变窄，iD减小。;沟道长度调制效应;5.2 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;假设工作在饱和区;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;5.2.1 MOSFET放大电路;3. 小信号模型分析;3. 小信号模型分析;各种场效应管的符号及特性;各种场效应管的符号及特性;FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和 共栅。
电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。
;双极型和场效应型三极管的比较;双极型和场效应型三极管的比较【续】
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