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第5章 场效应管放大电路;根 据 结 构 的 不 同;5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 ;工作原理;（b）vDS＝0V， vGS＝VGG＞0V 时;在vGS＝0时，没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才形成感生沟道的场效应管，称为增强型场效应管。; ②当vGS＞VT，且固定为某一值时， 分析vDS 对iD 的的控制作用。;特性曲线;① 输出特性曲线：iD=f (vDS)?vGS=const;(a) 截止区（夹断区）：vGS VT 导电沟道尚未形成，iD=0。; ②转移特性曲线：iD=f( vGS )?vDS =const; 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线; 5.1.3 P沟道MOSFET;P 沟 道;5.1.4 沟道长度调制效应（了解）;（增强型MOS管的）开启电压VT;2、低频跨导 gm ：;5.2 MOSFET放大电路;1、直流偏置及静态工作点的计算;N沟道增强型MOS管电路直流计算步骤：;(2) 带源极电阻的NMOS共源极放大电路;iD;3.小信号模型分析;一般输出电阻rds很大，可忽略。;图5.2.4;（2）求gm，rds;解：例5.2.2的直流分析已求得： ;例5.2.6 : NMOS共漏极放大电路 （源极跟随器）;5.3 结型场效应管（JFET）;N沟道JFET工作时，电压偏置要求： 1 .栅源极间加一负电压(vGS＜ 0) 作用：使PN结反偏，栅极电流iG≈0 2.漏源极间加一正电压(vDS＞0) 作用：使N沟道中的多子电子在电场作用下，由源极向漏极作运动，形成漏极电流 iD（由漏极到源极）。;（1）vGS 对iD的控制作用（设 vDS＝0）;（2）vDS 对 iD 的控制作用（设 vGS = 0）;（3）栅源电压vGS 和漏源电压vDS 共同作用; 3、结型场效应管的特性曲线;（b）可变电阻区（预夹断前）：VPvGS≤0，vDS≤vGS－VP ， vDS??iD?，JFET相当于一个压控可变电阻。;根据输出特性曲线，可作出移特性曲线。;结型场效应管的特性曲线小结;JFET放大电路的交流小信号模型 ;1.共源放大电路（p232：图5.3.8）;（2）中频电压增益;双极型BJT和场效应管的比较;各种放大器件电路性能比较 ;场效应管的分类； MOSFET和JFET的结构、工作原理、参数、 输出特性、转移特性曲线； FET放大电路的结构及分析方法； FET的特点（主要与BJT相比较而言）;N、P沟道的区分：;转移特性曲线：;;;练习： 5.1.1 5.2.3 5.3.5 5.5.4